[發(fā)明專利]一種用于在基片上沉積膜的基片處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810478814.4
• 申請日: 2015-09-14
• 公開（公告）號: CN108642474B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賽沙·瓦拉達(dá)拉簡;尚卡·斯瓦米納坦;桑格倫特·桑普倫格;弗蘭克·帕斯夸里;泰德·明歇爾;阿德里安·拉瓦伊;穆罕默德·薩布里;科迪·巴尼特
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/54;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張靜

1.一種用于在基片上沉積膜的基片處理系統(tǒng)，包括：

處理室，所述處理室限定反應(yīng)體積并包括用于支撐所述基片的基片支撐件；

氣體輸送系統(tǒng)，所述氣體輸送系統(tǒng)被配置為將處理氣體引入所述處理室的所述反應(yīng)體積；

等離子體發(fā)生器，所述等離子體發(fā)生器被配置為有選擇地生成在所述反應(yīng)體積內(nèi)的RF等離子體；

夾緊系統(tǒng)，所述夾緊系統(tǒng)被配置為在所述膜的沉積期間將所述基片夾緊到所述基片支撐件上；和

背面凈化系統(tǒng)，所述背面凈化系統(tǒng)被配置為在所述膜的沉積期間以及所述RF等離子體在所述反應(yīng)體積內(nèi)的生成期間，將反應(yīng)氣體而不是惰性氣體作為凈化氣體供應(yīng)到所述基片的背面邊緣，以凈化所述背面邊緣，

其中，為了供應(yīng)所述凈化氣體，

所述背面凈化系統(tǒng)被配置為使所述凈化氣體以150sccm至450sccm的速率流動，以在所述RF等離子體的生成期間凈化所述背面邊緣，

所述背面凈化系統(tǒng)被配置為提供分子氧作為所述凈化氣體，并且

所述背面凈化系統(tǒng)被配置為提供所述分子氧作為所述凈化氣體以(i)在所述RF等離子體在所述反應(yīng)體積內(nèi)的生成期間抑制靠近所述背面邊緣的等離子體點亮和空心陰極放電特征中的至少一個，并且(ii)抑制與所述凈化氣體相關(guān)的寄生功率損失。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理系統(tǒng)，其中，所述夾緊系統(tǒng)包括真空夾緊系統(tǒng)，以使用真空壓力將所述基片夾緊到所述基片支撐件上。

3.如權(quán)利要求1所述的基片處理系統(tǒng)，其中，所述膜包括二氧化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的基片處理系統(tǒng)，其中，使用原子層沉積來沉積所述膜。

5.如權(quán)利要求2所述的基片處理系統(tǒng)，其中，所述速率足以在不存在所述真空壓力時移動所述基片。

6.如權(quán)利要求2所述的基片處理系統(tǒng)，其中，所述真空夾緊系統(tǒng)包括：

閥；

腔，所述腔設(shè)置在所述基片支撐件的面對基片的表面上，其中，所述腔與所述閥是流體連通的；和

與所述閥流體連通的真空源。

7.如權(quán)利要求1所述的基片處理系統(tǒng)，其中，所述背面凈化系統(tǒng)包括：

閥；

腔，所述腔設(shè)置在靠近所述基片的邊緣的所述基片支撐件的面對基片的表面上，其中，所述腔與所述閥是流體連通的；和

與所述閥流體連通的反應(yīng)氣體源。

8.如權(quán)利要求1所述的基片處理系統(tǒng)，還包括：控制器，所述控制器配置為在一個或多個原子層沉積循環(huán)期間控制所述氣體輸送系統(tǒng)、所述等離子體發(fā)生器、所述夾緊系統(tǒng)以及所述背面凈化系統(tǒng)。