[發明專利]一種二維納米二硫化鈦及其薄膜電極的制備方法有效

申請號：	201810478748.0	申請日：	2018-05-18
公開（公告）號：	CN108573813B	公開（公告）日：	2019-08-27
發明（設計）人：	姜奇偉;于瓊哲;李明;龐亞帥;陳旭	申請（專利權）人：	河南大學
主分類號：	H01G9/20	分類號：	H01G9/20;H01G9/042
代理公司：	鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104	代理人：	時立新;張麗
地址：	475001***	國省代碼：	河南;41
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	二硫化鈦二維納米薄膜電極制備溶劑硫源四氯化鈦高壓釜電化學技術領域電極穩定性原位生長法鉑金電極二甲基硫光電性能柔性膠帶使用壽命特種薄膜二甲苯基電極摩爾比涂布法電極甲苯硫脲
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【權利要求書】：

1. 一種原位生長法制備二維納米二硫化鈦薄膜電極的方法，其特征在于，步驟如下：將固態基底浸入飽和的硫脲或二甲基硫脲水溶液中，用提拉法在基底表面沉積一層厚度為10-50微米硫脲，干燥后置入高壓釜中，高壓釜中含有溶劑50-70ml、四氯化鈦0.5-2 ml，然后在溫度為180-300℃的恒溫烘箱中反應0.5~12小時；反應完成后，冷卻、洗滌，得到原位生長法制備的二維納米TiS₂薄膜電極，其中，所述溶劑為甲苯或二甲苯。

2.利用權利要求1所述方法制得的二維納米二硫化鈦薄膜電極。

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