[發明專利]一種氮化鋁晶體的制備方法

在審

• 申請號: 201810477594.3
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN111647945A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 劉欣宇;程章勇;楊麗雯
• 申請（專利權）人: 北京華進創威電子有限公司
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B25/18
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 張永革

1.一種高純半絕緣碳化硅襯底生長氮化鋁晶體的方法，其特征在于：

（a）高純半絕緣碳化硅襯底粘結，采用粘結劑先在襯底托上涂抹均勻，在此過程中控制溫度在20～150℃之間，在將高純半絕緣碳化硅襯底粘結在襯底托上；粘結完畢后，將其放置在高溫真空爐中，同時在襯底托上施壓8～15Kg的規則物體；均勻升溫至750～850℃實施預燒結處理，以使粘結劑固化；

（b）首先將高純氮化鋁粉料置于坩堝內，再將粘結完畢的高純半絕緣碳化硅襯底置于坩堝上部，形成氮化鋁單晶生長室；在晶體生長過程中壓力105～130KPa、溫度1840～2000℃、N₂氣流500~800sccm、NH₃氣流5~15sccm，晶體生長時間20～150h；

（c）異質襯底的剝離，先將晶體層與襯底托分離，再將晶體層中的高純半絕緣碳化硅襯底層去除，最終獲得氮化鋁單晶錠。

2.根據權利要求1高純半絕緣碳化硅襯底生長氮化鋁晶體的方法，其特征在于,步驟（a）采用高純半絕緣碳化硅襯底、（0001）晶面0~6°的傾角的Si面或C面生長氮化鋁單晶。

3.根據權利要求1高純半絕緣碳化硅襯底生長氮化鋁晶體的方法，其特征在于,步驟（a）的襯底粘結在襯底托上，其中襯底托材質不限。

4.根據權利要求1高純半絕緣碳化硅襯底生長氮化鋁晶體的方法，其特征在于,步驟（b）的晶體生長用坩堝為表層為碳化鉭層的坩堝結構或鎢材質的坩堝結構。

5.根據權利要求1高純半絕緣碳化硅襯底生長氮化鋁晶體的方法，其特征在于,步驟（c）的氮化鋁晶體的獲取過程，先將晶體層與襯底托首先分離；再通過機械加工或氣相升華方式將氮化鋁晶體層與高純半絕緣碳化硅襯底層分離。