[發明專利]一種反射式DOE衍射器件及其制備方法在審
| 申請號： | 201810477579.9 | 申請日： | 2018-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN108717215A | 公開（公告）日： | 2018-10-30 |
| 發明（設計）人： | 胡超 | 申請（專利權）人： | 無錫中微掩模電子有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京華際知識產權代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅層 鋁層 單晶硅基板 衍射器件 保護膜 反射式 掩模板 光刻 制備 微電子工藝 微光學器件 衍射 加工 | ||
【權利要求書】：
1.一種反射式DOE衍射器件，其特征在于：包括單晶硅基板(1)、多晶硅層(2)和光刻掩模板(3)，所述多晶硅層(2)設在單晶硅基板(1)上，所述光刻掩模板(3)設在多晶硅層(2)上，還包括鋁層(4)和保護膜(5)，所述鋁層(4)設在多晶硅層(2)上，所述保護膜(5)設在鋁層(4)上。
2.一種反射式DOE衍射器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：步驟一：制備具有光學微結構的掩模板用于光刻；
步驟二：在單晶硅基板上生長厚度為a的多晶硅用于刻蝕；
步驟三：利用掩模板對多晶硅層進行光刻和顯影；
步驟四：對多晶硅層進行蝕刻到深度b；
步驟五：在圖形上鍍上鋁層作為反射層；
步驟六：在圖形上生長透明保護薄膜。
3.根據權利要求1所述的反射式DOE衍射器件的制備方法，其特征在于：所述多晶硅的生長厚度a為1μm。
4.根據權利要求1所述的反射式DOE衍射器件的制備方法，其特征在于：所述深度b為250nm±40nm。
5.根據權利要求1所述的反射式DOE衍射器件的制備方法，其特征在于：所述鋁層的厚度為50nm±20nm。
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