[發明專利]一種背面鈍化矩陣點式激光開槽導電結構

有效

• 申請號: 201810477570.8
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN108666374B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 王嵐;楊蕾;張元秋;常青;吳俊旻;張冠倫
• 申請（專利權）人: 通威太陽能（安徽）有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所 53113
• 代理人: 楊俊達

1.一種背面鈍化矩陣點式激光開槽導電結構，包括硅片襯底(1)，其特征在于：所述硅片襯底(1)背面設置有疊層背面鈍化膜(2)，所述疊層背面鈍化膜(2)上間隔設置有背面電極主柵區(3)，所述背面電極主柵區(3)采用分段式設置，且背面電極主柵區(3)數量為3-12個、寬度為0.6-2.2mm；

在所述疊層背面鈍化膜(2)上非背面電極主柵區(3)通過500-1200nm波段的激光束進行激光開槽形成重復點群組結構單元(4)，所述重復點群組結構單元(4)由2-18個圓孔狀激光光斑(5)重疊3％-17％圓面積區域構成，所述重復點群組結構單元(4)的中心點間隔0.2-1.0mm，所述圓孔狀激光光斑(5)的開槽深度為73nm以上，且圓孔狀激光光斑(5)的直徑為20-50um。

2.根據權利要求1所述的一種背面鈍化矩陣點式激光開槽導電結構，其特征在于：所述疊層背面鈍化膜(2)包括氧化硅膜層、氧化鋁膜層以及氮化硅膜層，所述氧化硅膜層為2-6nm，所述氧化鋁膜層為3-26nm，所述氮化硅膜層為70-130nm。

3.根據權利要求1所述的一種背面鈍化矩陣點式激光開槽導電結構，其特征在于：所述重復點群組結構單元(4)距離硅片襯底(1)邊緣0.5-1.5mm。