[發(fā)明專利]一種硫代錫酸銦電極材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810475595.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108622929B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戴玉明;曾鈺涵;叢園;姜通通;黃沈虎;黃賀賀;高雅欣 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京工程學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01G11/24 | 分類號(hào)： | H01G11/24;H01G11/30;C01G19/00 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;徐瑛 |
| 地址： | 211167 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硫代錫酸銦 電極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種硫代錫酸銦電極材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、將氯化亞錫、硫酸銦和硫脲溶解于溶劑中，磁力攪拌至形成均勻混合溶液，將溶液轉(zhuǎn)移至反應(yīng)釜中，高溫密閉反應(yīng)一段時(shí)間，隨爐冷卻至室溫；
S2、交替使用乙醇和超純水進(jìn)行離心清洗，然后真空干燥得到黑色粉體，即硫代錫酸銦電極材料；
步驟S1中，氯化亞錫的摩爾濃度為0.03mol/L，氯化亞錫與硫酸銦的摩爾濃度比值為3，硫脲的摩爾濃度為0.12mol/L，反應(yīng)溫度為100-200℃，反應(yīng)時(shí)間為10-30h；
制得的硫代錫酸銦電極材料由納米片交錯(cuò)生長形成球花狀疏松多孔的分級(jí)結(jié)構(gòu)，球花的平均直徑為6μm，納米片的平均厚度為25nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種硫代錫酸銦電極材料的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述溶劑為水、乙醇、乙二醇或聚乙二醇中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種硫代錫酸銦電極材料的制備方法，其特征在于，所述溶劑為聚乙二醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種硫代錫酸銦電極材料的制備方法，其特征在于，步驟S1中，反應(yīng)溫度為120℃，反應(yīng)時(shí)間為20h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種硫代錫酸銦電極材料的制備方法，其特征在于，步驟S2中，清洗步驟為：醇洗、水洗、醇洗、水洗、醇洗，干燥條件為80℃、真空干燥6h以上。
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