[發明專利]一種用于宇航大功率微波器件絕緣介質支撐的迷宮式結構在審
| 申請號： | 201810475235.4 | 申請日： | 2018-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN108736229A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 操基德;陳強;楊倩;劉六五;孫紹強;魏彥江 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十研究所 |
| 主分類號： | H01R13/502 | 分類號： | H01R13/502;H01R13/533;H01R24/40;H01P1/10;H01P1/20;H01P1/36 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 233010 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣介質支撐 中心導體 大功率微波器件 宇航 迷宮式結構 外部導體 環形槽 微放電 凸臺 二次發射電子 大功率微波 空氣間隙 熱脹冷縮 真空環境 支撐固定 自由路徑 導體 低氣壓 過盈量 配合面 三段式 放電 沉孔 兩段 切割 裝配 傳輸 阻礙 配合 保證 | ||
1.一種用于宇航大功率微波器件絕緣介質支撐的迷宮式結構，其特征在于：它包括首端絕緣介質支撐、尾端絕緣介質支撐，兩者采用端面配合連接，設置于中心導體和外導體之間；所述首端絕緣介質支撐和尾端絕緣介質支撐的配合面設計成凸臺與環形槽咬合的結構形式，中心導體位于首端絕緣介質支撐和尾端絕緣介質支撐的中心部位，外導體位于首端絕緣介質支撐和尾端絕緣介質支撐的外圍。
2.根據權利要求1所述的一種用于宇航大功率微波器件絕緣介質支撐的迷宮式結構，其特征在于：所述首端絕緣介質支撐與尾端絕緣介質支撐配合面之間的裝配過盈量范圍為0.05mm～0.1mm。
3.一種用于宇航大功率微波器件絕緣介質支撐的迷宮式結構，其特征在于：它包括同軸端絕緣介質支撐、中間絕緣介質支撐、腔體內絕緣介質支撐，三者采用端面配合連接，設置于同軸外導體與同軸中心導體之間、腔體外導體與微帶線中心導體之間；所述同軸端絕緣介質支撐與中間絕緣介質支撐的配合面及中間絕緣介質支撐與腔體內絕緣介質支撐的配合面設計成凸臺與沉孔咬合的結構形式，同軸中心導體位于同軸端絕緣介質支撐和中間絕緣介質支撐的中心部位，微帶線中心導體位于中間絕緣介質支撐和腔體內絕緣介質支撐的中心部位，同軸外導體位于同軸端絕緣介質支撐外圍，腔體外導體位于中間絕緣介質支撐和尾端絕緣介質支撐的外圍。
4.根據權利要求3所述的一種用于宇航大功率微波器件絕緣介質支撐的迷宮式結構，其特征在于：所述同軸端絕緣介質支撐、中間絕緣介質支撐和腔體內絕緣介質支撐配合面之間的裝配過盈量范圍為0.05mm～0.1mm。
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