[發明專利]用于處理微機電系統組件的方法在審
| 申請號： | 201810474025.3 | 申請日： | 2018-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN109319728A | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發明（設計）人： | 翁睿均;許希丞;陳信宇;蔣季宏;程世偉;吳威鼎;胡景翔;拉瓦亞沙納卡瓦拉普 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 微機電系統組件 化學氣相沉積 氧化物層 微機電系統 自組裝單層 接合 腔室 沉積 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于處理微機電系統組件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
提供第一晶圓；
使用第一化學氣相沉積法來處理所述第一晶圓，以在所述第一晶圓的頂面上形成腔室以及至少一個氧化物層；
提供第二晶圓；
將所述第二晶圓接合在所述至少一個氧化物層的頂面上；
處理所述第二晶圓以形成多個第一結構；以及
使用第二化學氣相沉積法將自組裝單層的層沉積到所述微機電系統組件的表面。
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