[發明專利]一種防霧絨面透明導電膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201810472406.8 | 申請日: | 2018-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN108493269A | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發明(設計)人: | 司榮美;潘中海;劉彩風 | 申請(專利權)人: | 天津寶興威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津市新天方有限責任專利代理事務所 12104 | 代理人: | 張強 |
| 地址: | 301800 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明導電膜 絨面透明導電膜 襯底 防霧 摻鋁氧化鋅 酸液 制備 薄膜 導電薄膜表面 復合聚酯薄膜 太陽能利用率 太陽能電池 醋酸分子 導電薄膜 多層涂布 防霧涂層 防霧性能 復合技術 空間位阻 去離子水 剝離層 復合層 可控性 膠層 吸潮 制絨 粘貼 涂料 取出 清潔 | ||
本發明提供一種防霧絨面透明導電膜及其制備方法,具體步驟如下:依次粘貼剝離層、膠層、摻鋁氧化鋅導電薄膜,制成透明導電膜襯底;將制成有透明導電膜襯底的溫度控制在19~24℃范圍內;取出去離子水中的透明導電膜襯底并在酸液中對調整溫度后的透明導電膜進行制絨;將復合層涂料均勻的涂布在摻鋁氧化鋅導電薄膜表面,然后依次復合聚酯薄膜層、防霧涂層,制成防霧絨面透明導電膜。本發明酸液中的醋酸分子空間位阻較大,能夠減緩反應速率,增加反應的可控性;本發明采用了多層涂布復合技術,從而使薄膜具備了容易清潔、不易吸潮等優點,增加了薄膜的防霧性能,用于太陽能電池上時可提高太陽能利用率。
技術領域
本發明涉及導電膜的制備領域,尤其涉及一種防霧絨面透明導電膜及其制備方法。
背景技術
摻鋁氧化鋅(Al-dopedZnO,簡稱AZO)透明導電膜在氫等離子體中穩定性好;且絨面AZO透明導電膜具有比較大的表面粗糙度,可將入射到薄膜中的光線分散到各個角度,經多次反射從而增大入射光在電池中的光程,增加光的吸收以增大電池的短路電流,提高電池的光電轉化效率。現有的絨面透明導電薄膜的制備方法,通過對磁控濺射工藝參數進行調節得到透明導電膜,再采用稀鹽酸溶液對其進行濕法化學刻蝕制備絨面透明導電薄膜,由于采用稀鹽酸進行制絨,刻蝕速率過快,制絨過程中可控性差,導致絨面均勻性較差,而且當薄膜用于太陽能電池上時,防霧性能不佳也嚴重影響了太陽能利用率。
發明內容
本發明旨在解決現有技術的不足,而提供一種防霧絨面透明導電膜及其制備方法。
本發明為實現上述目的,采用以下技術方案:
一種防霧絨面透明導電膜,所述防霧絨面透明導電膜由下至上依次設有剝離層、膠層、摻鋁氧化鋅導電薄膜、復合層、聚酯薄膜層、防霧層。
所述聚酯薄膜層采用透光率在93%以上的光學級聚酯薄膜。
一種防霧絨面透明導電膜的制備方法,具體步驟如下:
(1)依次粘貼剝離層、膠層、摻鋁氧化鋅導電薄膜,制成透明導電膜襯底;
(2)將制成的透明導電膜襯底浸入在溫度為19~24℃的去離子水內,控制其溫度在19~24℃范圍內;
(3)取出去離子水中的透明導電膜襯底并在酸液中對調整溫度后的透明導電膜進行制絨,制絨時長為0.5~2分鐘;
(4)在摻鋁氧化鋅導電薄膜上采用狹縫式涂布工藝,將攪拌均勻的復合層涂料均勻的涂布在摻鋁氧化鋅導電薄膜表面,然后通過冷壓方式依次復合聚酯薄膜層、防霧層,制成防霧絨面透明導電膜;
(5)將制成的防霧絨面透明導電膜進行收卷,收卷的牽引速度為11~14米/分鐘。
步驟(3)中所述酸液的各組分質量百分比為:
氯化氫0.04~0.36%、氟化氫0.05~0.15%、草酸0.15~0.25%、醋酸0.15~0.25%,其余為水。
步驟(4)中所述復合層涂料由復合膠水、抗氧化劑、紫外線吸收劑、受阻胺光穩定劑、紅外線吸收劑按照質量比1:0.1~0.4:0.2~0.4:0.1~0.5:0.1~0.15混合制成。
步驟(4)中所述防霧層由納米二氧化鈦與聚氨酯類光固化樹脂按照質量比1:2.5~3.5混合制成。
步驟(1)中所述膠層為丙烯酸壓敏膠。
本發明的有益效果是:本發明酸液中的氫離子與透明導電膜中的金屬氧化物進行反應,形成金屬離子,而且醋酸分子空間位阻較大,可阻擋氫離子移動至金屬氧化表面,進而能夠減緩反應速率,增加了反應的可控性,提高表面均勻性;本發明采用了多層涂布復合技術,從而使薄膜具備了優秀的防爆功能;同時本發明采用的防霧層具有容易清潔,不易吸潮等優點,增加了薄膜的防霧性能,用于太陽能電池上時可提高太陽能利用率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





