[發明專利]用于經改善的前驅物流的半導體處理腔室

有效

• 申請號: 201810471950.0
• 申請日: 2018-05-17
• 公開（公告）號: CN108962714B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 陳天發;D·盧博米爾斯基;S·鄭;S·樸;R·W·盧;P·范;E·C·蘇亞雷斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種半導體處理系統，所述半導體處理系統包括：

處理腔室；

遠程等離子體單元，所述遠程等離子體單元與所述處理腔室耦接；和

適配器，所述適配器與所述遠程等離子體單元耦接，其中所述適配器包括第一端和與所述第一端相對的第二端，其中所述適配器在所述第一端處限定通向中心通道的開口，其中所述中心通道由第一直徑來表征，其中所述適配器在所述第二端處限定從第二通道離開的出口，其中所述適配器在所述適配器內、在所述第一端與所述第二端之間限定所述中心通道與所述第二通道之間延伸并且將所述中心通道與所述第二通道流體耦接的過渡部，其中所述第二通道由小于或等于所述第一直徑和所述過渡部的最小直徑的外徑來表征，其中所述適配器限定所述過渡部與所述適配器的所述第二端之間的第三通道，并且其中所述第三通道與所述適配器內的所述中心通道和所述第二通道流體隔離。

2.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述中心通道由第一橫截表面面積直徑來表征并且所述第二通道由小于所述第一橫截面積的第二橫截面積來表征。

3.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述第二通道包括從所述中心通道延伸的多個通道。

4.如權利要求1所述的半導體處理系統，其中所述適配器進一步限定提供用來進出所述第三通道的端口。

5.如權利要求1所述的半導體處理系統，進一步包括耦接在所述適配器與所述處理腔室之間的隔離器，其中所述隔離器包括圍繞隔離器通道的環形構件，并且其中所述隔離器通道與所述第二通道和所述第三通道流體耦接。

6.如權利要求5所述的半導體處理系統，其中所述隔離器包括陶瓷。

7.如權利要求5所述的半導體處理系統，進一步包括耦接在所述隔離器與所述處理腔室之間的混合歧管。

8.如權利要求7所述的半導體處理系統，其中所述混合歧管由具有的直徑等于所述隔離器通道的直徑的入口來表征。

9.如權利要求8所述的半導體處理系統，其中所述混合歧管的所述入口過渡到所述混合歧管的錐形區段。

10.如權利要求9所述的半導體處理系統，其中所述混合歧管的所述錐形區段過渡到所述混合歧管的擴口區段，所述擴口區段延伸到所述混合歧管的出口。

11.一種半導體處理系統，所述半導體處理系統包括：

遠程等離子體單元；

處理腔室，所述處理腔室包括：

氣體箱，所述氣體箱限定中心通道，

阻擋板，所述阻擋板與所述氣體箱耦接，其中所述阻擋板限定穿過所述阻擋板的多個孔，

面板，所述面板在所述面板的第一表面處與所述氣體箱耦接，和

離子抑制元件，所述離子抑制元件在所述面板的與所述面板的所述第一表面相對的第二表面處與所述面板耦接；以及

適配器，所述適配器與所述遠程等離子體單元耦接，其中所述適配器包括第一端和與所述第一端相對的第二端，其中所述適配器在所述第一端處限定通向中心通道的開口，其中所述中心通道由第一直徑來表征，其中所述適配器在所述第二端處限定從第二通道離開的出口，其中所述適配器在所述適配器內、在所述第一端與所述第二端之間限定所述中心通道與所述第二通道之間延伸并且將所述中心通道與所述第二通道流體耦接的過渡部，其中所述第二通道由小于或等于所述第一直徑和所述過渡部的最小直徑的外徑來表征，其中所述適配器限定所述過渡部與所述適配器的所述第二端之間的第三通道，并且其中所述第三通道與所述適配器內的所述中心通道和所述第二通道流體隔離。

12.如權利要求11所述的半導體處理系統，進一步包括加熱器，所述加熱器圍繞耦接到所述氣體箱的混合歧管在外部耦接到所述氣體箱。