[發明專利]一種CdxZn1-xSe@ZnS量子點制備的白光LED器件在審
| 申請號: | 201810463340.6 | 申請日: | 2018-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN108767094A | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發明(設計)人: | 李金梅;李棟宇;黃貞;黃潔儀;黃賀杰 | 申請(專利權)人: | 嶺南師范學院 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/60;H01L33/64;H01L33/48 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 劉瑤云;陳偉斌 |
| 地址: | 524048 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子點 白光LED器件 制備 發光膠體 反光罩 硅膠 散熱器 發光效率 反光罩蓋 殼層表面 能量損耗 疏水配體 照明領域 轉換效率 透光罩 光色 核層 殼層 芯片 覆蓋 應用 | ||
1.一種CdxZn1-xSe@ZnS量子點制備的白光LED器件,其特征在于,包括設有散熱器的反光罩、設置于所述反光罩內側底部的LED 芯片、與所述反光罩蓋合的透光罩和用于覆蓋所述LED芯片表面的量子點發光膠體,所述量子點發光膠體由CdxZn1-xSe@ZnS量子點和硅膠混合制備而成,所述CdxZn1-xSe@ZnS量子點由CdxZn1-xSe核層和ZnS殼層組成,所述ZnS殼層表面包裹有疏水配體,其中x大于0且小于1。
2.根據權利要求1所述的白光LED器件,其特征在于,所述CdxZn1-xSe@ZnS量子點的直徑為2~10nm。
3.根據權利要求1所述的白光LED器件,其特征在于,所述CdxZn1-xSe@ZnS量子點的激發波長為280~770nm。
4.根據權利要求1所述的白光LED器件,其特征在于,所述CdxZn1-xSe@ZnS量子點由如下步驟制備得到:
S1. 制備含有鎘離子和鋅離子的油酸溶液;制備含有Se的1-十八烯溶液;制備含有S的磷酸三丁酯溶液;所述鎘離子和鋅離子的摩爾比為1:10;反應體系保持無氧環境;
S2. 將步驟S1.的油酸溶液升溫至300℃,然后加入步驟S1.的1-十八烯溶液并反應10min;接著升溫至310℃,加入步驟S1.的磷酸三丁酯溶液,反應30min,經分離提純后制備得到CdxZn1-xSe@ZnS量子點。
5.根據權利要求4所述的白光LED器件,其特征在于,步驟S2.中分離提純的操作為:通過添加乙醇將反應液中的CdxZn1-xSe@ZnS量子點沉降,然后離心洗滌至少5次。
6.根據權利要求1所述的白光LED器件,其特征在于,所述LED芯片為藍光LED芯片。
7.根據權利要求6所述的白光LED器件,其特征在于,所述LED芯片為藍光氮化鎵LED芯片,所述藍光氮化鎵LED芯片包括依次疊裝的基板、N型氮化鎵層、發光層和P型氮化鎵層,所述N型氮化鎵層設有N電極,所述P型氮化鎵層設有P電極;所述基板與所述反光罩固定連接。
8.根據權利要求7所述的白光LED器件,其特征在于,所述基板為藍寶石基板、硅基板、氮化鎵基板或氮化鋁基板。
9.權利要求1~8任一項所述的白光LED器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:將CdxZn1-xSe@ZnS量子點與硅膠混合得到量子點發光材料,然后將制得的量子點發光材料覆蓋LED芯片表面,經100℃真空干燥30min后,在150℃條件下加熱固化100min,然后組裝散熱器、反光罩和透光罩。
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