[發(fā)明專利]用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒方法及設(shè)備

有效

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• 申請日: 2018-05-15
• 公開（公告）號: CN108435102B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉安;劉剛
• 申請（專利權(quán)）人: 平羅縣祥美化工有限公司
• 主分類號: B01J2/00
• 分類號: B01J2/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：對含水硫脲廢渣物料進(jìn)行壓濾除水操作，使除水后的硫脲廢渣物料含水率按質(zhì)量計低于3％；

步驟二：對除水后的硫脲廢渣物料進(jìn)行烘干處理，使烘干后的硫脲廢渣物料含水率按質(zhì)量計低于0.4％；

步驟三：將烘干后的硫脲廢渣物料與添加劑混合并攪拌均勻，添加劑為粉末狀，目數(shù)80～110；

步驟四：將混合后的物料置入沉降腔內(nèi)，向沉降腔通入干燥空氣，使物料飛散并在沉降腔內(nèi)垂直方向上回轉(zhuǎn)循環(huán)；

上述沉降腔為球形腔體，頂端連接有增速排氣管，底端連接有氣浮喉管，沉降腔與氣浮喉管連接處側(cè)壁上安裝有側(cè)壁電極并設(shè)置多個放電錐，沉降腔下端中央設(shè)置有中軸電極，干燥空氣由氣浮喉管通入沉降腔，由增速排氣管排出；

步驟五：側(cè)壁電極與中軸電極之間加電壓，在混合后物料的回轉(zhuǎn)循環(huán)環(huán)境下引弧放電，將經(jīng)過電弧路徑的物料顆粒加熱至氫氧化鈣熔點580攝氏度以上，在沉降過程中與周圍其他物料熔接形成致密的不規(guī)則顆粒；

步驟六：物料顆粒不斷熔接生長后，在氣浮喉管氣流強度不足以將其托起的情況下沿氣浮喉管落入落料倉；

上述落料倉上部外側(cè)包裹有進(jìn)氣包腔，進(jìn)氣包腔與落料倉之間通過篩板連通。

2.如權(quán)利要求1所述的用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒方法，其特征在于，所述步驟四中，通入沉降腔的干燥空氣在氣浮喉管與沉降腔連接處的流速不低于1.3米每秒，溫度150～230攝氏度。

3.如權(quán)利要求1所述的用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒方法，其特征在于，所述步驟四中，由增速排氣管排出的空氣經(jīng)旋風(fēng)除塵器與壓縮機后再次通入進(jìn)氣包腔，旋風(fēng)除塵器分離出的粉塵送回至沉降腔。

4.用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒設(shè)備，其特征在于，包括：沉降腔、增速排氣管、旋風(fēng)除塵器、氣浮喉管、落料倉、側(cè)壁電極、中軸電極、進(jìn)氣包腔；

其中，沉降腔為球形腔體，增速排氣管一端安裝在沉降腔頂部，另一端連通至旋風(fēng)除塵器進(jìn)氣口，旋風(fēng)除塵器落料口通過氣密進(jìn)料器連接至沉降腔上部，落料倉安裝在沉降腔下方，并通過氣浮喉管與沉降腔連通，側(cè)壁電極安裝在氣浮喉管與沉降腔連接處側(cè)壁上并設(shè)置有多個放電錐，中軸電極布置在沉降腔下端中央，其外緣設(shè)置有多個放電錐；

落料倉上部外側(cè)包裹有進(jìn)氣包腔，進(jìn)氣包腔與落料倉之間通過篩板連通。

5.如權(quán)利要求4所述的用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒設(shè)備，其特征在于，所述沉降腔上下兩端分別與增速排氣管、氣浮喉管連接處均為圓滑過渡。

6.如權(quán)利要求4所述的用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒設(shè)備，其特征在于，還包括進(jìn)料器和卸料口，進(jìn)料器為雙閘式氣密進(jìn)料器，安裝在沉降腔上部側(cè)面，卸料口位于落料倉底部側(cè)面，并設(shè)置有閘板。

7.如權(quán)利要求4所述的用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒設(shè)備，其特征在于，還包括中軸電極支架，中軸電極支架連接在中軸電極上方，中軸電極通過中軸電極支架懸掛在沉降腔內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的用于硫脲廢渣土壤調(diào)理劑生產(chǎn)的氣浮電弧造粒設(shè)備，其特征在于，所述中軸電極支架為銅質(zhì)支架或包塑鋁質(zhì)支架。