[發明專利]非易失性存儲裝置、半導體裝置以及電子設備有效
| 申請號： | 201810460914.4 | 申請日： | 2018-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN108877865B | 公開（公告）日： | 2023-10-03 |
| 發明（設計）人： | 宮崎竹志 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34;G11C16/30;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 鄧毅;李慶澤 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性 存儲 裝置 半導體 以及 電子設備 | ||
1.一種非易失性存儲裝置，其具有：
多個第1參考單元，它們相互并聯連接，處于擦除狀態與程序狀態之間的中間狀態；
第1電流鏡電路，其在所述多個第1參考單元的選擇狀態下生成與在所述多個第1參考單元中流過的電流的合計值成比例的第1鏡像電流；以及
讀出放大器，其在讀出模式下，至少根據所述第1鏡像電流生成參考電流，通過對在存儲器單元中流過的電流與所述參考電流進行比較，讀出所述存儲器單元所存儲的數據。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中，該非易失性存儲裝置還具有：
擦除狀態的至少1個第2參考單元；
第2電流鏡電路，其在所述至少1個第2參考單元的選擇狀態下生成與在所述至少1個第2參考單元中流過的電流成比例的第2鏡像電流；以及
選擇電路，其以在讀出模式下至少根據所述第1鏡像電流生成所述參考電流、在校驗模式下至少根據所述第2鏡像電流生成所述參考電流的方式，設定所述多個第1參考單元或所述至少1個第2參考單元的選擇狀態。
3.根據權利要求1或2所述的非易失性存儲裝置，其中，
與所述多個第1參考單元連接的多個位線分別配置在與多個存儲器單元連接的多個位線的延長線上。
4.根據權利要求2所述的非易失性存儲裝置，其中，
與所述至少1個第2參考單元連接的至少1個位線配置在與至少1個存儲器單元連接的至少1個位線的延長線上。
5.根據權利要求2或4所述的非易失性存儲裝置，其中，
所述多個第1參考單元沿著規定的字線配置。
6.根據權利要求5所述的非易失性存儲裝置，其中，
所述至少1個第2參考單元沿著所述規定的字線配置。
7.一種非易失性存儲裝置，其具有：
第1參考單元，其處于擦除狀態與程序狀態之間的中間狀態；
擦除狀態的第2參考單元；
第1電流鏡電路，其在所述第1參考單元的選擇狀態下生成與在所述第1參考單元中流過的電流成比例的第1鏡像電流；
第2電流鏡電路，其在所述第2參考單元的選擇狀態下生成與在所述第2參考單元中流過的電流成比例的第2鏡像電流；
讀出放大器，其通過對在存儲器單元中流過的電流與參考電流進行比較，讀出所述存儲器單元所存儲的數據；以及
選擇電路，其以在讀出模式下至少根據所述第1鏡像電流生成所述參考電流、在校驗模式下至少根據所述第2鏡像電流生成所述參考電流的方式，設定所述第1參考單元或所述第2參考單元的選擇狀態。
8.一種半導體裝置，其具有權利要求1～7中的任意一項所述的非易失性存儲裝置。
9.一種電子設備，其具有權利要求1～7中的任意一項所述的非易失性存儲裝置。
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