[發明專利]基于可控硅的溫度控制器

有效

• 申請號: 201810459109.X
• 申請日: 2018-05-15
• 公開（公告）號: CN108398972B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 高玉琴
• 申請（專利權）人: 高玉琴
• 主分類號: G05D23/24
• 分類號: G05D23/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種基于可控硅的溫度控制器，其包括由比較器A1、三極管T1、T2、熱敏電阻RT、可變電阻R1、電阻R2?R8、電解電容C1組成的溫度檢測電路；由運算放大器A2、電阻R9?R10、三極管T3、T4、電阻R11?R12、電容C2?C3、時基集成電路IC1組成的方波發生器電路；由光耦GE1、雙向可控硅KG1組成的功率放大電路；溫度檢測電路將加熱溫度與設定值比較，加熱溫度與設定值相等時電解電容C1的電壓會保持在合適的值上，電解電容C1的電壓控制方波發生器的方波的占空比來調節雙向可控硅KG1的加熱功率，當加熱溫度與設定值相等時，加熱量接近散熱量，使控溫度的波動范圍大大降低，實現溫度恒定。

技術領域

本發明涉及一種溫度控制器，其由電子元件組成。

背景技術

溫度控制器一般包括感應溫度的熱敏電阻、比較器，比較器將溫度信號與設定值進行比較，當溫度信號小于設定值時比較器輸出加熱信號電熱器通電；當溫度信號等于或大于設定值時比較器輸出停止加熱信號電熱器斷電；其不足之處是，電熱器無穩態（即無一維持溫度的持續功率），被控溫度的波動范圍較大，恒溫性能較差。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提出一種基于可控硅的溫度控制器，該溫度控制器控溫波動小，被控溫度與設定溫度的誤差小。

本發明的技術方案是，一種基于可控硅的溫度控制器，其包括溫度檢測電路、方波發生器電路、功率放大電路；其特征是，所述的溫度檢測電路包括正溫度系數的熱敏電阻RT、比較器A1、三極管T1、三極管T2，熱敏電阻RT的一端接比較器A1的同相輸入端，熱敏電阻RT的另一端接地，比較器A1的同相輸入端通過可變電阻R1接穩壓電源V+，比較器A1的反相輸入端通過電阻R2接穩壓電源V+，比較器A1的反相輸入端通過電阻R3接地；比較器A1的輸出端通過電阻R5接三極管T1的基極，三極管T1的基極通過電阻R4接穩壓電源V+，三極管T1的發射極接穩壓電源V+，三極管T1的集電極通過電阻R8接電解電容C1的正極，電解電容C1的負極接地；比較器A1的輸出端通過電阻R6接三極管T2的基極，三極管T2的基極通過電阻R7接地，三極管T2的發射極接地，三極管T2的集電極接三極管T1的集電極；穩壓電源V+接比較器A1的一電源輸入端，穩壓電源V-接比較器A1的另一電源輸入端；

所述的方波發生器電路包括運算放大器A2、三極管T3、時基集成電路IC1，運算放大器A2的同相輸入端接電解電容C1的正極，運算放大器A2的反相輸入端通過電阻R9接地，運算放大器A2的反相輸入端與輸出端之間接有電阻R10；

三極管T3的基極接運算放大器A2的輸出端，三極管T3的發射極通過電阻R11接穩壓電源V+，三極管T3的集電極接電容C2的一端，電容C2的另一端接地，電容C2的一端接時基集成電路IC1的引腳2和引腳6，時基集成電路IC1的引腳7接三極管T3的發射極，三極管T4的基極接運算放大器A2的輸出端，三極管T4的集電極接三極管T3的集電極，三極管T4的發射極通過電阻R12接時基集成電路IC1的引腳7，時基集成電路IC1的引腳3輸出方波信號；時基集成電路IC1的引腳4和引腳8接穩壓電源V+，時基集成電路IC1的引腳1接地，時基集成電路IC1的引腳5通過電容C3接地；

所述的功率放大電路包括光耦GE1、雙向可控硅KG1，時基集成電路IC1的引腳3接光耦GE1的發光二極管的陽極，光耦GE1的發光二極管的陰極通過電阻R13接地，光耦GE1的光電觸發二極管一端接雙向可控硅的控制極，光電觸發二極管另一端通過電阻R14接雙向可控硅的第一電極，雙向可控硅的第一電極接電熱器RL的一端，電熱器RL的另一端接市電的相線a，雙向可控硅的第二電極接市電的零線0。