[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810458362.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108428729B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李夢(mèng)真;陳闖;何麟;周小康 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44224 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 唐清凱 |
| 地址： | 065500 河*** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示面板 透光區(qū) 基板 透光單元 像素顯示區(qū) 攝像頭 指紋識(shí)別 封裝層 聽(tīng)筒 制備 實(shí)體按鍵 下方位置 觸控 覆蓋 申請(qǐng) 顯示屏 切割 | ||
1.一種顯示面板(10)，包括基板(101)，其特征在于，所述基板(101)具有透光區(qū)(700)和像素顯示區(qū)(800)，所述透光區(qū)(700)和所述像素顯示區(qū)(800)相對(duì)于所述基板(101)互補(bǔ)設(shè)置；
所述透光區(qū)(700)包括：
多個(gè)透光單元(320)，覆蓋所述基板(101)的所述透光區(qū)(700)，在所述透光區(qū)(700)不設(shè)置用于驅(qū)動(dòng)所述透光單元(320)點(diǎn)亮的電極板；以及
封裝層(600)，覆蓋所述多個(gè)透光單元(320)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板(10)，其特征在于，所述透光區(qū)(700)還包括：緩沖層(202)，設(shè)置于所述基板(101)與所述多個(gè)透光單元(320)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板(10)，其特征在于，所述透光區(qū)(700)還包括：介質(zhì)層(204)，設(shè)置于所述基板(101)與所述多個(gè)透光單元(320)之間。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板(10)，其特征在于，所述透光區(qū)(700)還包括：光取出層(340)，設(shè)置于所述多個(gè)透光單元(320)與所述封裝層(600)之間。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板(10)，其特征在于，每一個(gè)所述透光單元(320)包括：
空穴注入層(321)，覆蓋所述基板(101)的所述透光區(qū)(700)；
空穴傳輸層(322)，覆蓋于所述空穴注入層(321)遠(yuǎn)離所述基板(101)的表面；
電子阻擋層(323)，覆蓋于所述空穴傳輸層(322)遠(yuǎn)離所述空穴注入層(321)的表面；
發(fā)光層(324)，覆蓋于所述電子阻擋層(323)遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層(322)的表面；
空穴阻擋層(325)，覆蓋于所述發(fā)光層(324)遠(yuǎn)離所述電子阻擋層(323)的表面；
電子傳輸層(326)，覆蓋于所述空穴阻擋層(325)遠(yuǎn)離所述發(fā)光層(324)的表面；以及
電子注入層(327)，覆蓋于所述電子傳輸層(326)遠(yuǎn)離所述空穴阻擋層(325)的表面。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的顯示面板(10)，其特征在于，所述透光區(qū)(700)的透光率大于等于70％。
7.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S10，提供基板(101)，所述基板(101)具有第一區(qū)域(111)和第二區(qū)域(112)，所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)相對(duì)于所述基板(101)互補(bǔ)設(shè)置；
S210，在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)沉積緩沖層(202)；
S220，在所述緩沖層(202)的表面沉積有源層(203)；
S230，將位于所述第一區(qū)域(111)的所述有源層(203)刻蝕掉；
S240，在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)依次沉積第一絕緣層(214)和第一金屬層(205)；
S250，將位于所述第一區(qū)域(111)的所述第一金屬層(205)刻蝕掉；
S260，在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)依次沉積第二絕緣層(224)和第二金屬層(206)；
S270，將位于所述第一區(qū)域(111)的所述第二金屬層(206)刻蝕掉；
S280，在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)依次沉積第三絕緣層(234)和第三金屬層(207)；
S290，將位于所述第一區(qū)域(111)的所述第三金屬層(207)刻蝕掉；
S30，在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)沉積陽(yáng)極層(310)；
S40，將位于所述第一區(qū)域(111)的所述陽(yáng)極層(310)刻蝕掉；
S50，在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)沉積多個(gè)透光單元(320)；
S60，在所述多個(gè)透光單元(320)的表面沉積陰極層(330)；
S70，將位于所述第一區(qū)域(111)的所述陰極層(330)刻蝕掉；
S80,在所述第一區(qū)域(111)和所述第二區(qū)域(112)沉積封裝層(600)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
