[發明專利]陣列基板、顯示屏及顯示裝置有效
| 申請號: | 201810458179.3 | 申請日: | 2018-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN108493227B | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 王森 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示屏 顯示裝置 | ||
本發明涉及一種陣列基板、顯示屏及顯示裝置,該陣列基板包括:基板,所述基板上對應的顯示區域包括陣列排布的像素,所述顯示區域劃分為異形顯示區和規則顯示區;所述異形顯示區中每一行像素對應的發光面積小于所述規則顯示區中任一行像素對應的發光面積;多個第一像素,位于所述異形顯示區;多個第二像素,位于所述規則顯示區;所述異形顯示區對應的第一像素密度大于所述規則顯示區對應的第二像素密度以保持所述異形顯示區與所述規則顯示區分別對應的掃描信號線上的負載一致。從而解決了異形顯示區與規則顯示區中顯示的圖像亮度不均的技術問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種陣列基板、顯示屏及顯示裝置。
背景技術
目前,常見的顯示裝置,例如顯示器、電視機、手機、平板電腦等,其顯示屏通常為規則的矩形。隨著顯示技術的發展,矩形的顯示屏已經不能滿足用戶多樣化的使用需求。因而,顯示屏的形狀越來越多樣化。
通常,非矩形的顯示屏稱為異形顯示屏。異形顯示屏包括異形顯示區域與正常顯示區域。異形顯示區域中的每行像素個數與正常顯示區域的每行像素個數不同。
在傳統技術中,顯示面板中的驅動電路通過不同的掃描線控制對應行上的像素。然而,掃描線為對應行上的像素提供相同的掃描信號時,異形顯示區域與正常顯示區域因每行像素個數不同會導致掃描線上的負載不同,從而使顯示的圖像亮度不均,影響顯示效果。
發明內容
基于此,有必要針對傳統技術中異形顯示區與規則顯示區因像素數量不同而導致顯示圖像亮度不均的技術問題,提供一種陣列基板、顯示屏及顯示裝置。
一種陣列基板,所述的陣列基板包括:基板,所述基板上對應的顯示區域包括陣列排布的像素和連接每行所述像素的掃描信號線,所述顯示區域包括異形顯示區和規則顯示區;所述異形顯示區中每一行像素對應的發光面積小于所述規則顯示區中任一行像素對應的發光面積;多個第一像素,位于所述異形顯示區;多個第二像素,位于所述規則顯示區;所述異形顯示區對應的第一像素密度大于所述規則顯示區對應的第二像素密度以保持所述異形顯示區與所述非異形顯示區分別對應的掃描信號線上的負載一致。
可選地,在前述陣列基板中,所述第一像素、所述第二像素分別包括至少一個第一子像素、至少一個第二子像素、至少一個第三子像素;所述異形顯示區對應的所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素的開口面積分別小于所述規則顯示區對應的所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素的開口面積。
可選地,在前述陣列基板中,在所述異形顯示區至少兩行上的像素數量不同,且每一行像素所對應的所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素的開口面積分別與所在行的像素數量呈負相關。
可選地,在前述陣列基板中,所述異形顯示區包括至少一個子異形顯示區,所述子異形顯示區包括至少兩行像素,且每一行的像素數量分別相同;在每個子異形顯示區,所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素的開口面積分別與所在的所述子異形顯示區中每一行的像素數量呈負相關。
可選地,在前述陣列基板中,所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素對應的開口形狀均為三角形;或所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素對應的開口形狀均為多邊形或者圓角多邊形,所述多邊形至少具有四條邊,所述圓角多邊形至少具有四條邊。
可選地,在前述陣列基板中,所述非顯示區包括開槽區,所述開槽區與所述異形顯示區鄰接,所述異形顯示區對應的第一像素密度與開槽區面積呈正相關。
可選地,在前述陣列基板中,在所述異形顯示區內,所述掃描信號線貼合所述異形顯示區的邊緣集中彎曲走線,以補償所述異形顯示區的掃描信號線與所述規則顯示區的掃描信號線之間的電阻負載差異。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





