[發明專利]扇出型封裝結構

有效

• 申請號: 201810458158.1
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108649019B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 王啟東;薛梅;田更新;邱德龍;曹立強
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/66;H01L23/522;H01Q1/22;H01Q15/14
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;霍文娟

1.一種扇出型封裝結構，其特征在于，所述扇出型封裝結構包括：

線路板(10)；

至少兩個電接觸結構(20)，設置在所述線路板(10)的表面上；

再布線層(30)，設置在所述電接觸結構(20)的遠離所述線路板(10)的表面上，所述再布線層(30)通過所述電接觸結構(20)與所述線路板(10)電連接；

微帶天線(40)，設置在所述再布線層(30)內或者設置在所述再布線層(30)的表面上；

天線饋線(50)，設置在所述再布線層(30)內或者設置在所述再布線層(30)的表面上，且所述天線饋線(50)與所述微帶天線(40)電連接；

天線反射平面(60)，設置在所述線路板(10)的靠近所述再布線層(30)的表面上或者設置在所述再布線層(30)的靠近所述線路板(10)的表面上，且所述微帶天線(40)和所述天線反射平面(60)隔離設置，所述天線反射平面(60)為人工磁導體結構；

介質層(70)，設置在所述再布線層(30)的遠離所述線路板(10)的表面上；以及

射頻芯片(80)，設置在所述介質層(70)中，且所述射頻芯片(80)的有源面與所述再布線層(30)電連接，所述射頻芯片(80)通過所述再布線層(30)與所述微帶天線(40)電連接，其中的部分所述電接觸結構(20)為接地電接觸結構(22)，任意兩個相鄰所述接地電接觸結構(22)之間的距離為工作頻率下的電磁波在自由空間中傳輸時的波長的0 .09～0 .11倍，所述扇出型封裝結構還包括接地鍍通孔(110)，位于所述線路板(10)中，所述接地鍍通孔(110)有多個，且任意兩個相鄰所述接地鍍通孔(110)之間距離為工作頻率下的電磁波在所述線路板(10)中傳輸時的波長的0 .09～0 .11倍。

2.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述微帶天線(40)設置在所述再布線層(30)的靠近所述線路板(10)的表面上，所述天線反射平面(60)設置在所述線路板(10)的靠近所述再布線層(30)的表面上。

3.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述扇出型封裝結構還包括：

部分反射表面結構(90)，設置在所述介質層(70)的遠離所述再布線層(30)的表面上。

4.根據權利要求3所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述扇出型封裝結構還包括：

第一接地孔(100)，位于所述介質層(70)和所述再布線層(30)中，且所述射頻芯片(80)和所述微帶天線(40)位于所述第一接地孔(100)的兩側。

5.根據權利要求4所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一接地孔(100)有多個，且任意相鄰的兩個所述第一接地孔(100)之間的距離為工作頻率下的電磁波在所述介質層(70)中傳輸時的波長的0 .09～0 .11倍。

6.根據權利要求4所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一接地孔(100)包括第一孔本體(101)和第一填充金屬層(102)，所述第一填充金屬層(102)位于所述第一孔本體(101)的底壁以及側壁上。

7.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述接地鍍通孔(110)包括第二孔本體和第二填充金屬層，所述第二填充金屬層位于所述第二孔本體的底壁以及側壁上。

8.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述電接觸結構(20)包括剛性核(23)以及導電殼(24)，所述導電殼(24)包裹在所述剛性核(23)的外表面。

9.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，部分的所述電接觸結構(20)為支撐電接觸結構(21)。

10.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述扇出型封裝結構還包括：

背金層(120)，設置在所述介質層(70)內且位于所述射頻芯片(80)的遠離所述再布線層(30)的表面上。