[發明專利]金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法

有效

• 申請號: 201810457726.6
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108624922B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 嚴戰非;趙明;顧琪;杜立群;呂輝
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十四研究所;大連理工大學
• 主分類號: C25D1/00
• 分類號: C25D1/00;C25D1/10
• 代理公司: 32203 南京理工大學專利中心
• 代理人: 唐代盛<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、在基板上涂覆第一負光刻膠，制作犧牲層：在基板上涂第一負光刻膠，進行前烘，在基板上覆蓋具有微器件圖形的掩膜板進行曝光，顯影，將微器件的圖形轉移到第一負光刻膠膠膜上，并進行烘烤成堅硬膠膜；

步驟S2、制作種子層：在圖形化的第一負光刻膠膠膜上濺射導電金屬，得到導電金屬種子層；

步驟S3、制作掩蔽層：在導電種子層上涂覆正性光刻膠，經過前烘、在基板上覆蓋具有輔助結構圖形的掩膜板進行曝光、顯影后，將輔助結構的圖形轉移到正性光刻膠膠膜上，即形成掩蔽層；

步驟S4、對種子層進行腐蝕：對圖形化的掩蔽層進行腐蝕，去除掩蔽層以外的導電金屬種子層，然后去除正性光刻膠，得到輔助結構圖形的種子層；

步驟S5、制作具有微器件和輔助結構圖形的第二負光刻膠膠膜：在具有微器件圖形的金屬基板和具有輔助結構圖形的種子層上涂覆第二負光刻膠，經過前烘，在基板上覆蓋具有微器件結構圖形和輔助結構圖形的掩膜板進行曝光，后烘，顯影，得到具有微器件和輔助結構圖形的第二負光刻膠膠膜；

步驟S6、微電鑄金屬：將制作好的膠膜放入電鑄液中進行微器件的電鑄；

步驟S7、去除光刻膠及輔助結構電鑄層，得到微器件。

2.根據權利要求1所述的金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，步驟S1中所述第一負光刻膠采用BN303光刻膠。

3.根據權利要求1所述的金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，步驟S2中所述導電金屬采用銅。

4.根據權利要求1所述的金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，步驟S3中所述正性光刻膠采用AZ703光刻膠。

5.根據權利要求1所述的金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，步驟S5中所述第二負光刻膠采用SU-8光刻膠。

6.根據權利要求1所述的金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，步驟S7中得到微器件具體過程為：將電鑄好的微器件浸入第二負光刻膠去膠液中，待第二負光刻膠去除干凈后，將微器件轉移到第一負光刻膠去膠液中，待第一負光刻膠溶解及輔助結構電鑄層與微器件分離脫落時，得到所需的微器件。

7.根據權利要求1所述的金屬微器件LIGA成型過程中提高電鑄層均勻性的方法，其特征在于，步驟S1前還包括：步驟S0、對基板進行預處理：首先使用精密研磨拋光機對金屬基板進行研磨、拋光處理，然后進行清洗并烘干。