[發明專利]肖特基二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201810456701.4
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108493257B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 裴軼;裴曉延
• 申請（專利權）人: 蘇州捷芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王文紅

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：

半導體層；和

位于所述半導體層一側的三端端口；

所述三端端口包括第一電極、第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的第三電極，其中，所述第二電極的至少一部分延伸至所述半導體層內，并與所述半導體層形成肖特基接觸，且所述第二電極與所述第三電極電連接形成所述肖特基二極管的陽極，所述第一電極與所述半導體層歐姆接觸，作為所述肖特基二極管的陰極；

其中，當所述肖特基二極管承受反偏電壓時，所述第三電極下方形成耗盡層；

所述第三電極距所述第二電極預設距離，且所述預設距離大于或等于1.1μm。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，進一步包括一個或多個場板，所述場板向所述第三電極和所述第一電極中的至少一個方向延伸，且延伸部分位于所述第一電極和所述第三電極之間。

3.根據權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述一個或多個場板包括第一場板，所述第一場板與所述第一電極電連接，并向所述第三電極方向延伸。

4.根據權利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，所述一個或多個場板還包括位于所述第一場板上方的第二場板，所述第二場板與所述第一電極電連接，并向所述第三電極方向延伸。

5.根據權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述一個或多個場板包括第三場板，所述第三場板與所述第三電極電連接，并向所述第一電極方向延伸。

6.根據權利要求5所述的肖特基二極管，其特征在于，所述一個或多個場板還包括位于所述第三場板上方的第四場板，所述第四場板與所述第三電極電連接，并向所述第一電極方向延伸。

7.根據權利要求1-6任一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管還包括位于所述第三電極和所述半導體層之間的介質層。

8.根據權利要求1-6任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述半導體層包括勢壘層，所述第二電極靠近所述第三電極的一側包括第一傾斜面，所述第一傾斜面與所述勢壘層的上表面斜交，形成第一傾角。

9.根據權利要求8所述的肖特基二極管，其特征在于，所述半導體層進一步包括位于所述勢壘層一側的溝道層，所述第二電極延伸至所述勢壘層內或所述溝道層內，所述第二電極靠近所述第三電極的一側還包括第二傾斜面，所述第二傾斜面與所述勢壘層和所述溝道層中的至少一層斜交，形成第二傾角。

10.一種肖特基二極管制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半導體層；

在所述半導體層上形成與所述半導體層歐姆接觸的第一電極，作為所述肖特基二極管的陰極；

在所述半導體層上形成與所述半導體層肖特基接觸的第二電極；

在所述半導體層上形成位于所述第一電極和所述第二電極之間的第三電極；

電連接所述第二電極和所述第三電極，使所述第二電極和所述第三電極共同作為肖特基二極管的陽極；

其中，當所述肖特基二極管承受反偏電壓時，所述第三電極下方形成耗盡層；所述第三電極距所述第二電極預設距離，且所述預設距離大于或等于1.1μm。

11.根據權利要求10所述的肖特基二極管制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一電極和/或第三電極上形成與所述第一電極和/或第三電極電連接的一個或多個場板，所述場板向所述第三電極和所述第一電極中的至少一個方向延伸，且延伸部分位于所述第一電極和所述第三電極之間。