[發明專利]一種寬探測波段雙重等離子工作光電探測器的制備方法

有效

• 申請號: 201810456504.2
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108630782B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 王莉;李晶晶;何淑娟;李振;羅和昊;范琦;徐星;于永強;吳春艷;謝超;羅林保;胡繼剛;宣曉峰;黃正峰
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: H01L31/108
• 分類號: H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 盧敏

1.一種寬探測波段雙重等離子工作光電探測器的制備方法，其特征在于：

所述寬探測波段雙重等離子工作光電探測器是以n-型硅片為襯底(1)；在所述襯底(1)的上表面形成有第一層金納米顆粒層(2)，在所述第一層金納米顆粒層(2)上轉移有一層石墨烯層(3)，在所述石墨烯層(3)上形成有第二層金納米顆粒層(4)，使得兩層金納米顆粒層之間通過石墨烯層隔開；在所述第二層金納米顆粒層(4)上設置有頂電極(5)；在所述襯底(1)的下表面設置有底電極(6)；

所述寬探測波段雙重等離子工作光電探測器的制備方法，包括如下步驟：

a、將n-型硅片依次使用丙酮、酒精、去離子水進行超聲清洗，然后使用氮氣吹干，作為襯底備用；

b、將襯底放入到電子束沉積腔室中，在襯底上表面蒸鍍5nm金薄膜，然后冷卻至室溫，取出并放入快速退火爐中，在氬氣環境中500℃退火30分鐘，使金薄膜退火成為由金納米顆粒均勻分布構成的第一層金納米顆粒層；

c、在第一層金納米顆粒層上轉移一層石墨烯，然后在60℃下烘烤5min，以增強石墨烯的粘附性；

d、將襯底再次放入到電子束沉積腔室中，在石墨烯層上蒸鍍5nm的金薄膜，然后冷卻至室溫，取出并放入快速退火爐中，在氬氣環境中250℃退火30分鐘，使金薄膜退火成為由金納米顆粒均勻分布構成的第二層金納米顆粒層；

e、利用銀漿分別從襯底的下表面和第二層金納米顆粒層的頂部引出底電極和頂電極，即完成寬探測波段雙重等離子工作光電探測器的制備。