[發明專利]用于存儲器的讀取控制裝置、讀取控制方法和存儲器控制器

有效

• 申請號: 201810456195.9
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108647111B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 吳昭逸;喬斌;張志;賁偉建;張明;王琛鑾;喻小帆;王敏
• 申請（專利權）人: 聯蕓科技（杭州）有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 范芳茗;張靖琳

本發明提供用于存儲器的讀取控制裝置、讀取控制方法和存儲器控制器。所述用于存儲器的讀取控制裝置包括：DSP固件，用于預存儲多個靜態電壓表；表選取模塊，用于根據第一參數從預存儲的靜態電壓表中選擇部分靜態電壓表；表排序模塊，用于根據第二參數將選中的靜態電壓表進行優先級排序；檢測電壓配置模塊，用于按照選中的靜態電壓表的優先級設置檢測電壓；讀取模塊，用于從存儲器中讀取存儲數據；ECC譯碼電路，用于對存儲數據進行譯碼糾錯。本發明通過對靜態電壓表進行優先級排序以降低讀取控制裝置重試讀取操作的頻率，通過縮減靜態電壓表的數量，使得ECC譯碼電路只在有限數量的正確的靜態電壓表中進行輪詢，從而提高ECC譯碼電路的糾錯效率。

技術領域

本申請涉及存儲器領域，并且更具體地涉及用于存儲器的讀取控制裝置、讀取控制方法和存儲器控制器。

背景技術

快閃存儲器(flash)是一種非易失性的存儲器，廣泛應用于記憶卡、固態硬盤以及可攜式多媒體播放器(portable multimedia players)等電子設備。快閃存儲器可分為N0R型快閃存儲器和NAND型快閃存儲器。

為了保證數據安全，通常在快閃存儲器的控制器設置有ECC(Error Checking andCorrection)譯碼電路，用于數據恢復和糾錯處理。ECC譯碼電路設置在快閃存儲器的控制端，在數據寫入階段，將基于原始數據編碼產生編碼數據存儲到快閃存儲器中，在數據讀取階段，使用糾錯碼(ECC)糾正一定數量的錯誤數據比特得到原始數據。通過ECC譯碼電路能夠降低快閃存儲器的誤碼率以及提高產品良率。

然而，隨著快閃存儲器的制程不斷縮短，RBER(Raw Bit Error Rate)一直上升。而且當快閃存儲器的使用年限增加時，快閃存儲器的各種工作狀態也在不斷地發生變化，導致讀取操作錯誤概率也大大增加。這是ECC譯碼電路的糾錯效率就變得極為重要。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種應用于存儲器的讀取控制裝置和讀取控制方法，通過對靜態電壓表進行縮減和優先級排序，使得ECC譯碼電路能夠提高糾錯效率。

根據本發明的第一方面，提供一種用于存儲器的讀取控制裝置，包括：

DSP固件，用于預存儲多個靜態電壓表；

表選取模塊，用于根據第一參數從所述預存儲的靜態電壓表中選擇部分靜態電壓表，所述第一參數表示存儲器當前的工作狀態；

表排序模塊，用于根據第二參數將選中的靜態電壓表進行優先級排序，所述第二參數表示ECC譯碼電路的反饋結果；

檢測電壓配置模塊，用于按照選中的靜態電壓表的優先級設置檢測電壓；

讀取模塊，用于從所述存儲器中讀取存儲數據；

ECC譯碼電路，用于對存儲數據進行譯碼糾錯。

優選地，所述ECC譯碼模塊按照按照選中的靜態電壓表的優先級順序進行多次的數據讀取和譯碼糾錯。

優選地，所述檢測電壓配置模塊按照優先級從高到低的順序從選中的靜態電壓表中讀取默認檢測電壓和偏移量，生成所述檢測電壓。

優選地，所述第一參數包括以下參數中的至少一種：

抹除次數、讀取次數、剩余時間、讀取未寫滿的存儲頁或存儲塊、擦除未寫滿的存儲頁或存儲塊和跨電壓或溫度進行讀寫。

優選地，所述第二參數包括癥狀權重/錯誤比特數。

優選地，所述存儲器為閃存。

根據本發明的第二方面，提供一種用于存儲器的讀取控制方法，包括：

根據第一參數從預存儲的靜態電壓表中選擇部分靜態電壓表，所述第一參數表示存儲器的工作狀態；