[發明專利]一種GaN異質結縱向功率器件

在審

• 申請號: 201810455931.9
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108598163A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 周琦;魏東;鄧操;董長旭;黃芃;陳萬軍;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種GaN異質結縱向功率器件，從下至上依次包括層疊設置的硅襯底(11)、GaN N型重摻雜層(1)、N型漂移區(2)、AlMN層(4)和GaN-top層(5)；所述N型漂移區(2)和AlMN層(4)構成第一異質結，第一異質結界面形成二維電子氣溝道；所述GaN-top層(5)和AlMN層(4)構成第二異質結，第二異質結界面形成二維空穴氣溝道；其特征在于，還包括凹槽，所述凹槽位于器件兩端，并沿垂直方向依次貫穿GaN-top層(5)和AlMN層(4)后延伸入N型漂移區(2)上層，在凹槽的內壁具有柵氧化層(7)，在柵氧化層(7)上淀積有肖特基柵電極(8)；所述N型漂移區(2)中具有多個沿垂直方向平行設置的浮空P-GaN區域(3)，浮空P-GaN區域(3)位于凹槽下方；所述GaN-top層(5)上表面具有歐姆金屬源極(9)，歐姆金屬源極(9)與凹槽相鄰；所述GaN N型重摻雜層(1)的橫向寬度大于N型漂移區(2)的寬度，所述N型漂移區(2)位于GaN N型重摻雜層(1)上表面中部，在GaN N型重摻雜層(1)上表面兩端分別具有歐姆漏電極(10)。

2.根據權利要求1所述的一種GaN異質結縱向功率器件，其特征在于，所述浮空P-GaN區域(3)的長度Lp＝3μm。

3.根據權利要求1所述的一種GaN異質結縱向功率器件，其特征在于，所述浮空P-GaN區域(3)的摻雜濃度為1x10¹⁷cm^-3。