[發明專利]顯示面板及其制造方法和顯示終端有效
| 申請號: | 201810453312.6 | 申請日: | 2018-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN108417733B | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 陳闖;顧維杰;俞鳳至;李錦 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 終端 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板上設有凹槽,所述顯示面板包括顯示區,所述凹槽位于所述顯示區外側;
所述顯示面板還包括薄膜封裝結構及隔熱膜層,所述薄膜封裝結構至少覆蓋設置于所述顯示區上,所述隔熱膜層為由多孔材料或真空絕熱材料形成的薄膜;
所述凹槽與所述顯示區之間還設有封裝預留區,所述薄膜封裝結構還覆蓋設置于所述封裝預留區上,所述隔熱膜層覆蓋設置于位于所述封裝預留區的薄膜封裝結構的上表面且位于靠近所述凹槽的位置;
所述封裝預留區內的隔熱膜層及薄膜封裝結構均設為階梯狀結構,所述階梯狀結構沿所述顯示區至所述凹槽處的方向設置。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝預留區內還包括TFT陣列基板,所述封裝預留區內的隔熱膜層自所述顯示區向位于所述凹槽處的所述TFT陣列基板一側延伸。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,在所述封裝預留區內所述薄膜封裝結構與所述TFT陣列基板直接接觸。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝預留區內的TFT陣列基板靠近所述凹槽的位置設有缺口,所述薄膜封裝結構覆蓋設置于所述TFT陣列基板上且填充所述缺口。
5.如權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述缺口設于所述TFT陣列基板上的薄膜晶體管層上。
6.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區及位于所述顯示區外側的開槽區;所述開槽區與所述顯示區之間還設有封裝預留區;
所述制造方法包括以下步驟:
在所述顯示區上覆蓋設置薄膜封裝結構;所述薄膜封裝結構還覆蓋設置于所述封裝預留區上;
將隔熱膜層覆蓋設置于位于所述封裝預留區的薄膜封裝結構的上表面且位于靠近所述開槽區的位置;所述封裝預留區內的隔熱膜層及薄膜封裝結構均設為階梯狀結構,所述階梯狀結構沿所述顯示區至所述開槽區處的方向設置;所述隔熱膜層為由多孔材料或真空絕熱材料形成的薄膜;
在所述開槽區開設凹槽。
7.如權利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述封裝預留區內還包括TFT陣列基板,所述封裝預留區內的隔熱膜層自所述顯示區向位于所述凹槽處的所述TFT陣列基板一側延伸。
8.如權利要求7所述的制造方法,其特征在于,在所述封裝預留區內所述薄膜封裝結構與所述TFT陣列基板直接接觸。
9.如權利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述封裝預留區內的TFT陣列基板靠近所述凹槽的位置設有缺口,所述薄膜封裝結構覆蓋設置于所述TFT陣列基板上且填充所述缺口。
10.一種顯示終端,其特征在于,包含如權利要求1~5任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





