[發明專利]一種基于ECC的FLASH數據異常處理方法及裝置

有效

• 申請號: 201810451180.3
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN108628699B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 張毅;吉宏斌
• 申請（專利權）人: 簡式國際汽車設計（北京）有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李相雨

本發明提供一種基于ECC的FLASH數據異常處理方法及裝置，方法包括：MCU在讀取或寫入當前flash扇區的片內flash數據的過程中，判斷讀取或寫入的片內flash地址是否為被保護的地址；若是，則判斷是否進入異常中斷處理；若是，則修正讀取指令或寫入指令為讀取或寫入下一個片內Flash地址，因此能確保系統能盡可能的在ECC發生狀態下能正常運行。

技術領域

本發明涉及計算機處理技術領域，特別涉及一種基于ECC的FLASH數據異常處理方法及裝置。

背景技術

EEPROM是微處理器用于讀、寫及更新變量的最理想的非易失性存儲器。在沒有內置EEPROM的微控制器里，可以將內部的Flash仿真成EEPROM來達到目的。

當前的使用的基于ECC的FLASH模塊，在用于模擬EEPROM的功能時，由于數據操作異常等行為(讀寫不當或者一些外因，如寫數據時斷電等)，可能會導致FLASH進入保護模式；在FLASH進入保護模式的情況下讀取異常地址的數據時，會導致控制器里的MCU復位或進入某些異常狀態，最終導致控制器的功能不正常，引發危險。

發明內容

本發明提供一種至少部分解決上述技術問題的基于ECC的FLASH數據異常處理方法及裝置。

第一方面，本發明提供一種基于ECC的FLASH數據異常處理方法，包括：

MCU在讀取或寫入當前flash扇區的片內flash數據的過程中，判斷讀取或寫入的片內flash地址是否為被保護的地址；

若是，則判斷是否進入異常中斷處理；

若是，則修正讀取指令或寫入指令為讀取或寫入下一個片內Flash地址。

優選的，所述方法還包括：

將所述被保護的地址對應的Flash異常標志位置為有效，退出異常中斷處理；

判斷所述被保護的地址的flash異常標志位是否為有效；

若是，則將默認的無效值賦予預知的目標地址，并將所述Flash異常標志位置為無效，讀取所述下一個片內Flash地址的數據或向所述下一個片內Flash地址寫入數據。

優選的，判斷讀取或寫入的片內flash地址是否為被保護的地址之前，所述方法還包括：

判斷Flash扇區中所有數據條目是否有效；

若是，則向數據條目填充條目數據。

優選的，判斷Flash扇區中所有數據條目是否有效之后，所述方法還包括：

若否，則判斷是否所有備份扇區都查詢完畢；

若否，則判斷當前查詢的數據條目是否有效；

若是，則重復所述判斷Flash扇區中所有數據條目是否有效步驟。

優選的，判斷當前查詢的數據條目是否有效之后，所述方法還包括：

若否，則查找當前flash扇區的數據區，獲取數據，用該數據填充當前查詢的數據條目；

判斷讀當前flash扇區是否完成；

若是，則重復所述判斷Flash扇區中所有數據條目是否有效步驟。

優選的，所述方法還包括：

生成MCU故障信息，并將所述MCU故障信息發送給顯示裝置，以使所述顯示裝置顯示所述MCU故障信息。

第二方面，本發明還提供一種基于ECC的FLASH數據異常處理裝置，其特征在于，包括：