[發明專利]氮化物半導體結構及半導體發光元件

在審

• 申請號: 201810450545.0
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN108321267A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 吳俊德;李玉柱
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：

一第一型摻雜半導體層；

一發光層，包括一多重量子井結構；

一第二型摻雜半導體層，其中所述發光層配置在所述第一型摻雜半導體層與所述第二型摻雜半導體層之間；

一AlGaN基礎的(AlGaN based)第二型載子阻隔層，配置于所述第二型摻雜半導體層與所述發光層之間，且所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個GaN基礎的阻障層以及多個InGaN基礎的井層；以及

一InGaN基礎的電洞提供層，配置于所述發光層與所述AlGaN基礎的第二型載子阻隔層之間，所述InGaN基礎的電洞提供層中摻雜有濃度大于10¹⁷cm^-3的四族元素。

2.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：

一第一型摻雜半導體層；

一發光層，包括一多重量子井結構；

一第二型摻雜半導體層，其中所述發光層配置于所述第一型摻雜半導體層與所述第二型摻雜半導體層之間；以及

一InGaN基礎的電洞提供層，配置于所述發光層與所述第二型摻雜半導體層之間，且所述InGaN基礎的電洞提供層中摻雜有濃度大于10¹⁷cm^-3的四族元素，其中所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個GaN基礎的阻障層以及多個InGaN基礎的井層，且所述InGaN基礎的電洞提供層之能隙大于所述多重量子井結構之InGaN基礎的井層的能隙。

3.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：

一第一型摻雜半導體層；

一AlGaN基礎的第一型載子阻隔層；

一發光層，包括一多重量子井結構；

一AlGaN基礎的第二型載子阻隔層；

一第二型摻雜半導體層，其中所述發光層配置于所述第一型摻雜半導體層與所述第二型摻雜半導體層之間，所述AlGaN基礎的第一型載子阻隔層配置于所述第一型摻雜半導體層與所述發光層之間，所述AlGaN基礎的第二型載子阻隔層配置于所述第二型摻雜半導體層與所述發光層之間，且所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個GaN基礎的阻障層以及多個InGaN基礎的井層；以及

一InGaN基礎的電洞提供層，所述InGaN基礎的電洞提供層配置于所述發光層與所述AlGaN基礎的第二型載子阻隔層之間，所述InGaN基礎的電洞提供層中摻雜有濃度大于10¹⁷cm^-3的四族元素。

4.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：

一第一型摻雜半導體層；

一發光層，包括一多重量子井結構；

一第二型摻雜半導體層，其中所述發光層配置于所述第一型摻雜半導體層與所述第二型摻雜半導體層與所述發光層之間，且所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個GaN基礎的阻障層以及多個InGaN基礎的井層；

一AlGaN基礎的第二型載子阻隔層，配置于所述第二型摻雜半導體層與所述發光層之間；以及

一InGaN基礎的電洞提供層，配置于所述發光層與所述所述第二型摻雜半導體層之間，其中所述InGaN基礎的電洞提供層中摻雜有濃度大于10¹⁸cm^-3的第二型摻質以及濃度大于10¹⁷cm^-3的碳。

5.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：

一第一型摻雜半導體層；

一發光層，包括一多重量子井結構；

一InGaN基礎的電洞提供層；以及

一第二型摻雜半導體層，其中所述發光層配置于所述第一型摻雜半導體層與所述InGaN基礎的電洞提供層之間，而所述InGaN基礎的電洞提供層配置于所述發光層與所述第二型摻雜半導體層之間，所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個GaN基礎的阻障層以及多個InGaN基礎的井層，且所述InGaN基礎的電洞提供層之能隙大于所述多重量子井結構之InGaN基礎的井層的能隙，所述InGaN基礎的電洞提供層中摻雜有濃度大于1018cm-3的第二型摻質以及濃度大于10¹⁷cm^-3的碳。