[發(fā)明專利]腔室及半導體加工設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810450381.1
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN110468377B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設計）人: 劉建強;耿宏偉;李強;白志民;張興
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司;北京大學軟件與微電子學院
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種腔室，其特征在于，在所述腔室內(nèi)設置有工藝組件及用于在腔室空閑時烘烤所述工藝組件的加熱裝置；

所述腔室內(nèi)設置有可升降的基座；

所述工藝組件包括內(nèi)襯、屏蔽環(huán)及沉積環(huán)，所述內(nèi)襯與所述腔室連接，所述內(nèi)襯用于保護所述腔室的側(cè)壁以及避免顆粒掉落至所述腔室的底部；所述沉積環(huán)環(huán)繞在所述基座的周圍；當所述基座升至工藝位置時，所述屏蔽環(huán)環(huán)繞在所述沉積環(huán)的周圍，以及當所述基座下降時，所述屏蔽環(huán)由所述內(nèi)襯支撐；

溫度監(jiān)控裝置，用于監(jiān)測所述工藝組件的溫度；根據(jù)所述工藝組件的溫度，來調(diào)節(jié)所述加熱裝置的輸出功率，以將所述工藝組件的溫度維持在目標溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室，其特征在于，所述溫度監(jiān)控裝置包括非接觸式溫度傳感器，所述非接觸式溫度傳感器設置在所述腔室的外部，且能夠?qū)⒐庑盘柊l(fā)送至所述工藝組件所處位置；

在所述腔室的腔室壁且與所述非接觸式溫度傳感器相對應的位置處設置有窗口，所述窗口能夠使所述光信號透過。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室，其特征在于，所述非接觸式溫度傳感器包括紅外溫度傳感器或者紅外熱像儀。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室，其特征在于，所述窗口所采用的材料包括ZnS或者ZnSe。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室，其特征在于，所述溫度監(jiān)控裝置還包括位置調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述位置調(diào)節(jié)機構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述非接觸式溫度傳感器發(fā)送光信號的方向。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室，其特征在于，將所述加熱裝置的輸出功率調(diào)節(jié)至所述加熱裝置的額定功率的40％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項所述的腔室，其特征在于，還包括溫度控制單元和功率調(diào)節(jié)單元，其中，

所述溫度監(jiān)控裝置監(jiān)測所述工藝組件的溫度，并將所述工藝組件的溫度發(fā)送至所述溫度控制單元；

所述溫度控制單元用于計算所述工藝組件的溫度與所述目標溫度之間的差值，并根據(jù)所述差值控制所述功率調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)所述加熱裝置的輸出功率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項所述的腔室，其特征在于，所述屏蔽環(huán)的內(nèi)周壁與所述沉積環(huán)的外周壁之間具有間隙，所述間隙的徑向?qū)挾刃∮诘扔?.2mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室，其特征在于，所述沉積環(huán)的上表面包括經(jīng)表粗糙度處理的環(huán)形區(qū)域；所述環(huán)形區(qū)域的寬度大于等于11mm。

10.一種半導體加工設備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任意一項所述的腔室。