[發明專利]基板清洗裝置及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810450204.3 | 申請日: | 2018-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN108878314B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 中野央二郎;國澤淳次 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 張麗穎 |
| 地址: | 日本國東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 裝置 處理 | ||
本發明公開基板清洗裝置。在一實施方式中,基板清洗裝置具備:第一軸群,該第一軸群包含第一驅動軸和惰輪軸,該第一驅動軸具有使基板旋轉的第一驅動輥,該惰輪軸具有通過基板而旋轉的從動輥;第二軸群,該第二軸群包含多個第二驅動軸,該多個第二驅動軸分別具有使基板旋轉的第二驅動輥;清洗機構,該清洗機構對通過第一驅動輥及多個第二驅動輥而旋轉的基板進行清洗;以及旋轉檢測部,該旋轉檢測部對從動輥的轉速進行檢測,從動輥位于與基板通過清洗機構而受到力的方向相反的一側。
技術領域
本發明涉及基板清洗裝置、基板處理裝置及基板清洗方法。
本申請基于2017年5月16日在日本申請的專利2017-097621號而主張優先權,將其內容援引于此。
背景技術
在以往,已知一種如下述的日本專利第4937807號公報所示的用于基板處理裝置的基板清洗裝置。基板清洗裝置具備:在第一軸群與第二軸群之間一邊保持基板(例如,圓形形狀的半導體基板或半導體晶片)一邊使基板旋轉的基板保持旋轉機構;以及清洗基板的清洗機構。第一軸群及第二軸群分別具備兩個使基板旋轉的驅動軸。由共計四個驅動軸來一邊保持基板一邊使基板旋轉,通過清洗機構清洗基板。
另外,在這種基板清洗裝置中,為了使清洗后的基板的品質穩定,即,不僅對于基板的中心附近還包含周緣部,盡可能地不產生清洗后的基板上的顆粒附著這一擔憂,要求精度良好地測定基板的轉速。作為測定基板的轉速的方法,在日本特開平10-289889號公報中公開了如下結構:基板的外周緣與從動輥抵接,使從動輥與狹縫板一體地旋轉,檢測狹縫板的旋轉狀態。
然而,近年來,由于半導體基板的細微化在發展,對于以往未成為課題的細微的附著物,也要求盡可能地從基板上除去。因此,為了消除清洗基板后的顆粒附著這一擔憂,要求更高水準的清洗時的基板清洗過程的管理。
例如,如上述日本特開平10-289889號公報的基板清洗裝置可知,在通過檢測從動輥的轉速而間接地檢測基板的轉速的結構中,雖至今未成為通常問題,但在從動輥與基板之間產生的滑動成為使基板的轉速的檢測精度下降的主要原因。滑動引起的基板的轉速的檢測精度下降成為招致清洗性不均勻的原因之一。因此,為了抑制這樣的滑動的發生,例如,使對于從動輥的基板的按壓力變大是有效的。
另一方面,在例如日本專利第4937807號公報的基板清洗裝置中,如前所述,使各軸50的保持旋轉部52與基板W的周緣部抵接,對基板W進行保持(參照同文獻圖9)。在如該日本專利第4937807號公報所示的四個驅動輥中,若保持旋轉部對基板W進行保持的保持力不均等,則保持于保持旋轉部的基板W的旋轉不穩定,有基板W的清洗等的處理效率下降的擔憂。此外,假設在以較強的按壓力使用于測定基板的轉速的從動輥與基板抵接的情況下,則有施加于基板的力的平衡被破壞,招致基板的變形等的情況。進一步,假設若使與基板接觸的輥的數量增加,則伴隨清洗而附著于輥的污垢再次附著于基板,容易產生基板被污染的現象。
基于如上理由,近年來對于半導體基板所要求的清洗水平進一步提高,為了回應這樣的要求,在由基板清洗裝置連續地清洗多個基板的情況下,使基板清洗裝置所使用的基板的清洗的品質穩定,同時精度良好地測定基板保持旋轉機構的基板的轉速變得不容易。
發明內容
本發明是考慮這樣的情況而完成的,其提供能夠使基板的清洗的品質穩定,同時使用從動輥精度良好地測定基板的轉速的基板清洗裝置、基板處理裝置及基板清洗方法。
本發明的第一方式是基板清洗裝置,基板清洗裝置具備:第一軸群,該第一軸群包含第一驅動軸和惰輪軸,該第一驅動軸具有使基板旋轉的第一驅動輥,該惰輪軸具有通過所述基板而旋轉的從動輥;第二軸群,該第二軸群包含多個第二驅動軸,該多個第二驅動軸分別具有使基板旋轉的第二驅動輥;清洗機構,該清洗機構對通過所述第一驅動輥及多個所述第二驅動輥而旋轉的所述基板進行清洗;以及旋轉檢測部,該旋轉檢測部對所述從動輥的轉速進行檢測,所述從動輥位于與所述基板通過所述清洗機構而受到力的方向相反的一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





