[發明專利]半導體元件的制造方法

在審

• 申請號: 201810449833.4
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN110473886A
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 陳路
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，其中在所述基底的第一面上具有第一介電層結構，在所述基底的相對于所述第一面的第二面上具有第二介電層結構，且在所述第一介電層結構中具有導體層；

在所述第二介電層結構中形成暴露出所述基底且位于所述導體層上方的第一開口；

在所述第二介電層結構上形成擋光結構；

形成覆蓋所述擋光結構且填入所述第一開口的介電層；

在所述介電層與所述基底中形成暴露出所述導體層的第二開口；以及

在所述第二開口中形成電連接至所述導體層的接墊層。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中所述第一開口的形成方法包括：

在所述第二介電層結構上形成具有第三開口的圖案化光致抗蝕劑層；以及

以所述圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，移除部分所述第二介電層結構。

3.如權利要求2所述的半導體元件的制造方法，其中所述第一開口的形成方法還包括：

在移除部分所述第二介電層結構之前，對所述圖案化光致抗蝕劑層進行修剪制作工藝。

4.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中所述擋光結構包括金屬柵格。

5.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中所述擋光結構還形成在所述第一開口的側壁上。

6.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，還包括在所述第二介電層結構中形成暴露出所述基底的第四開口。

7.如權利要求6所述的半導體元件的制造方法，其中所述第四開口與所述第一開口由同一道光刻蝕刻制作工藝形成。

8.如權利要求6所述的半導體元件的制造方法，其中所述擋光結構還形成在所述第四開口中。

9.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中所述第二開口與所述第一開口通過相同或不同光掩模形成。

10.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，其中在所述基底上具有介電層結構，且在所述介電層結構中具有導體層；

在所述介電層結構中形成暴露出所述導體層的第一開口；

在所述介電層結構上形成擋光結構；

形成覆蓋所述擋光結構且填入所述第一開口的介電層；

在所述介電層中形成暴露出所述導體層的第二開口；以及

在所述第二開口中形成電連接至所述導體層的接墊層。