[發(fā)明專利]一種釩電池用陽離子交換膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810449639.6 | 申請日: | 2018-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN108493388A | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張法;陳龍 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥國軒高科動力能源有限公司 |
| 主分類號: | H01M2/14 | 分類號: | H01M2/14;H01M8/18 |
| 代理公司: | 合肥市長遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 葉美琴 |
| 地址: | 230000 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陽離子交換膜 制備 釩電池 熱處理 均勻溶液 有機溶劑 鑄膜液 沉淀 固態(tài)樹脂材料 真空熱處理 流延成膜 親水處理 應(yīng)用市場 沉淀劑 交換膜 磺化 水中 加熱 浸泡 離子 溶解 | ||
本發(fā)明公開了一種釩電池用陽離子交換膜及其制備方法,所述制備方法包括:將固態(tài)樹脂材料溶于有機溶劑A之中,形成均勻溶液;將均勻溶液進(jìn)行磺化親水處理,然后加入沉淀劑中得到沉淀;將沉淀加入有機溶劑B中溶解得到鑄膜液;將鑄膜液流延成膜,干燥后進(jìn)行真空熱處理得到熱處理膜;將熱處理膜依次在H2O2溶液、H2SO4溶液、去離子水中加熱浸泡得到所述釩電池用陽離子交換膜。本發(fā)明提出的釩電池用陽離子交換膜及其制備方法,所述制備方法簡單,得到的交換膜機械強度高,選擇性好,釩滲透低,具有較廣的應(yīng)用市場。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及釩電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種釩電池用陽離子交換膜及其制備方法。
背景技術(shù)
全釩液流氧化還原電池(VRB)是一種新型儲能電池,其電解質(zhì)由不同價態(tài)的釩離子組成,分別在兩個儲液槽中,通過外接泵使其在半電池間流動,電極由活性物質(zhì)和集流體組成,兩個半電池由隔膜隔開,正極點對為V(IV)/V(V),V(III)/V(VI)。其主要優(yōu)點在于電解液與電池分開存放,從而使得電池容量不受電池體積限制,而是由電解液量決定。同時由于電解液與電池分開存放,從根本上解決了自放電的問題。但是由于電池電解液始終處于流動狀態(tài),所以對電池隔膜的機械性能要求很高。此外,由于電解液均由不同價態(tài)的釩離子組成,在電池反應(yīng)過程中由于釩離子通過電池隔膜從而導(dǎo)致不同價態(tài)之間的釩離子發(fā)生相互反應(yīng)引起電池容量的降低。
現(xiàn)存的釩電池用離子交換膜的主要問題在于:隔膜釩滲透率較高,對釩離子和氫離子的選擇性較低,導(dǎo)致容量下降比較嚴(yán)重;隔膜的機械性能較差,在長時間電池內(nèi)循環(huán)后容易發(fā)生破碎;現(xiàn)在市場上主要使用的釩電池隔膜制備工藝復(fù)雜且價格昂貴,市場利用較為困難。
發(fā)明內(nèi)容
基于背景技術(shù)存在的技術(shù)問題,本發(fā)明提出了一種釩電池用陽離子交換膜及其制備方法,所述制備方法簡單,得到的交換膜機械強度高,選擇性好,釩滲透低,具有較廣的應(yīng)用市場。
本發(fā)明提出的一種釩電池用陽離子交換膜的制備方法,包括以下步驟:
S1、將固態(tài)樹脂材料溶于有機溶劑A之中,形成均勻溶液;
S2、將均勻溶液進(jìn)行磺化親水處理,然后加入沉淀劑中得到沉淀;
S3、將沉淀加入有機溶劑B中溶解得到鑄膜液;
S4、將鑄膜液流延成膜,干燥后進(jìn)行真空熱處理得到熱處理膜;
S5、將熱處理膜依次在H2O2溶液、H2SO4溶液、去離子水中加熱浸泡得到所述釩電池用陽離子交換膜。
優(yōu)選地,在S1中,所述固態(tài)樹脂材料選自聚芳砜、聚醚砜、聚酰亞胺、聚醚醚酮中的一種。
優(yōu)選地,在S1中,所述有機溶劑A為二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、三氯甲烷中的一種。
優(yōu)選地,在S2中,在進(jìn)行磺化親水處理的過程中,所用磺化劑為氯磺酸、三甲基氯硅烷、濃硫酸、SO2中的一種或多種的混合物;所述磺化親水處理在氮氣保護(hù)下進(jìn)行,且溫度為0-40℃。
優(yōu)選地,在S2中,所述沉淀劑為甲醇、乙醇、甲醇鈉的甲醇溶液中的一種。
優(yōu)選地,在S3中,所述有機溶劑B為N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺中的一種。
優(yōu)選地,在S4中,將鑄膜液在40-90℃下流延成膜。
優(yōu)選地,在S4中,所述真空熱處理的溫度為90-120℃。
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