[發(fā)明專利]基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810449401.3 | 申請日: | 2018-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN108786940A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許行尚;杰弗瑞·陳;朱宗哲;王龍 | 申請(專利權(quán))人: | 南京嵐煜生物科技有限公司 |
| 主分類號: | B01L3/00 | 分類號: | B01L3/00;G01N21/76;G01N21/78;G01N33/543 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 彭英 |
| 地址: | 210000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁珠 反應(yīng)腔 微流控芯片 化學(xué)發(fā)光 芯片本體 樣品腔 內(nèi)壁 磁性分離 固定磁珠 進(jìn)樣管路 有效回收 磁分離 廢液腔 富集區(qū) 強(qiáng)磁體 清洗液 圓弧形 沖刷 磁吸 連通 清洗 樣本 保存 流通 | ||
1.一種基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,包括芯片本體,該芯片本體設(shè)置有樣品腔、反應(yīng)腔和廢液腔;樣品腔通過樣本進(jìn)樣管路與反應(yīng)腔連通;其特征在于,所述反應(yīng)腔的內(nèi)壁呈圓弧形設(shè)置,且反應(yīng)腔的內(nèi)壁設(shè)置有通過強(qiáng)磁體磁性分離磁珠的磁吸富集區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述反應(yīng)腔的內(nèi)壁形狀為橢圓形,且反應(yīng)腔中,垂直于反應(yīng)腔內(nèi)液體流動(dòng)方向的兩側(cè),分別設(shè)置磁吸富集區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述磁吸富集區(qū)為緊靠著反應(yīng)腔內(nèi)壁設(shè)置,并相對于反應(yīng)腔底部下陷的弧形凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述弧形凹槽的槽深為0.1mm-0.2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述芯片本體分別設(shè)置有氣路清洗管道入口、液路清洗管道入口以及顯色液液路入口;氣路清洗管道入口與氣路清洗管道連通;液路清洗管道入口與液路清洗管道連接;顯色液液路入口與顯色液液路連接;且氣路清洗管道與樣本進(jìn)樣管路匯流后通過進(jìn)樣管道a與反應(yīng)腔連通,液路清洗管道與顯色液液路匯流后通過進(jìn)樣管道b與反應(yīng)腔連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述顯色液液路入口能夠與隔膜泵相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述反應(yīng)腔能夠與超聲探頭相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁珠的化學(xué)發(fā)光微流控芯片,其特征在于,所述芯片本體為三片式結(jié)構(gòu),包括從上至下依次疊合的第一芯片層、第二芯片層和第三芯片層,其中:
所述的樣品腔,由設(shè)置于第三芯片層的樣品池,設(shè)置于第二芯片層的進(jìn)樣孔,以及設(shè)置于第一芯片層上的樣品腔上蓋口拼接而成;
所述的反應(yīng)腔,由設(shè)置于第三芯片層的反應(yīng)池,設(shè)置于第二芯片層的反應(yīng)池蓋板,以及設(shè)置于第一芯片層上的觀察視窗拼接而成;
所述反應(yīng)池,呈橢圓形設(shè)置,并在該橢圓形反應(yīng)池底部,垂直于反應(yīng)池內(nèi)液體流動(dòng)方向的兩側(cè),分別設(shè)置凹槽;同時(shí),反應(yīng)池內(nèi)處于液體流動(dòng)方向的中部位置處,并排設(shè)置有兩個(gè)管道,分別為進(jìn)樣管道b、進(jìn)樣管道a;氣路清洗管道與樣本進(jìn)樣管路匯流后通過進(jìn)樣管道a與反應(yīng)腔連通,液路清洗管道與顯色液液路匯流后通過進(jìn)樣管道b與反應(yīng)腔連通;
反應(yīng)腔內(nèi)涂覆有封閉液,以形成封閉層;
反應(yīng)腔在第二芯片層的區(qū)域表面固定有磁珠,而在第三芯片層的區(qū)域表面固定標(biāo)記抗體;
所述的廢液腔,由設(shè)置于第三芯片層的廢液池,設(shè)置于第二芯片層的廢液腔中部的透氣部和廢液腔中部的通孔,以及設(shè)置于第一芯片層上的廢液腔上蓋板拼接而成;廢液腔上蓋板在與廢液腔中部的透氣部對應(yīng)的位置處,設(shè)置有連通的透氣孔;
所述第三芯片層還設(shè)有氣路清洗管道、液路清洗管道、顯色液液路;所述氣路清洗管道與連通于樣本池的樣本進(jìn)樣管路交匯,所述液路清洗管道與顯色液液路的流道交匯,且氣路清洗管道與樣本進(jìn)樣管路匯流后通過進(jìn)樣管道a與反應(yīng)池連通,液路清洗管道與顯色液液路匯流后通過進(jìn)樣管道b與反應(yīng)池連通;反應(yīng)池的出液口通過導(dǎo)電橡膠控制閥與廢液池連通;
進(jìn)樣管道a、進(jìn)樣管道b與反應(yīng)腔的連通入口處于反應(yīng)池上側(cè),緊貼第三芯片層的上表面設(shè)置;同時(shí),反應(yīng)池的出液口也緊貼第三芯片層的上表面設(shè)置。
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