[發(fā)明專(zhuān)利]提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810449165.5
• 申請(qǐng)日: 2018-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109557608A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王銳勛;王玉河
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市微納科學(xué)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02B6/00
• 分類(lèi)號(hào): G02B6/00;C03C15/00;C03C17/06
• 代理公司: 深圳市睿智專(zhuān)利事務(wù)所 44209
• 代理人: 陳鴻蔭;黃宇燕

1.一種提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃，其特征在于：

所述導(dǎo)光玻璃包括采用導(dǎo)光材料的導(dǎo)光基體（1），在所述導(dǎo)光基體（1）上設(shè)置有入射面（10）、出光面（11）和反射面（12）；所述入射面上安裝有UVC光源（2）；所述反射面（12）有經(jīng)圖形化處理的粗化層（121）；所述粗化層（121）上鍍有鋁反射層（122）。

2.按照權(quán)利要求1所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃，其特征在于：

所述導(dǎo)光材料包括采用石英玻璃、藍(lán)寶石、CaF₂、BaF₂或MgF₂；所述石英玻璃的S_iO₂含量≥99.5%。

3.按照權(quán)利要求1所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃，其特征在于：

所述鋁反射層（122）上還鍍有一層或多層S_iO₂保護(hù)膜。

4.按照權(quán)利要求1所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃，其特征在于：

所述鋁反射層（122）的厚度20nm～3000nm。

5.按照權(quán)利要求1所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃，其特征在于：

所述導(dǎo)光基體（1）是多面體，所述多面體至少有一個(gè)面是用安裝UVC光源的入光面（10）。

6.按照權(quán)利要求1所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃，其特征在于：

所述導(dǎo)光基體（1）是腔體結(jié)構(gòu)；所述腔體結(jié)構(gòu)的內(nèi)腔壁和外腔壁一個(gè)為出光面，則另一個(gè)為反射面；所述腔體結(jié)構(gòu)的兩端端面（18）為入光面（10），所述UVC光源（2）安裝在該腔體結(jié)構(gòu)的兩端端面（18）或兩端端面（18）其中之一上。

7.一種提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃制作方法，所述導(dǎo)光玻璃采用導(dǎo)光材料為導(dǎo)光基體（1），所述導(dǎo)光基體（1）上有入射面（10）、出光面（11）和反射面（12）；還對(duì)所述導(dǎo)光基體（1）作如下處理：

A.對(duì)所述導(dǎo)光基體的反射面（12）的外表面進(jìn)行清潔處理；

B.在清潔后的反射面（12）之外表面做圖形化處理形成粗化層（121）；

C.在所述粗化層（121）上鍍鋁，形成鋁反射層（122）。

8.按照權(quán)利要求7所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃制作方法，其特征在于：

所述鋁反射層（122）的厚度為20nm～3000nm。

9.按照權(quán)利要求7所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃制作方法，其特征在于：

還包括在所述鋁反射層（122）鍍一層或多層保護(hù)膜。

10.按照權(quán)利要求7所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃制作方法，其特征在于：

所述保護(hù)膜包括S_iO₂。

11.按照權(quán)利要求7所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃制作方法，其特征在于：

所述圖形化處理包括蝕刻、激光雕刻、噴砂或高溫壓印。

12.按照權(quán)利要求7所述的提高UVC接觸面積的導(dǎo)光玻璃制作方法，其特征在于：

所述鍍鋁的方法包括物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積；所述物理氣相沉積磁控濺射或蒸鍍。