[發明專利]具有集成的霍爾測量特征的半導體探針測試卡

有效

• 申請號: 201810448564.X
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN108872686B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: J.博斯特延齊克;D.卡默蘭德;C.奧斯特邁爾;G.普雷希特爾;G.拉青斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: G01R19/08
• 分類號: G01R19/08;G01R15/20;G01R1/067;G01R1/073;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;申屠偉進

公開了具有集成的霍爾測量特征的半導體探針測試卡。一種用于測試半導體器件的探針測試卡包括：印刷電路板；一對導電探針，其朝向彼此延伸并且遠離印刷電路板突出，具有部署在該對導電探針的各端部之間的間隙；以及線圈，其被附接到印刷電路板并且被電連接到印刷電路板，并且被直接部署在間隙的上方。探針測試卡被配置為當施加通過線圈的電流時在該對導電探針的各端部之間的間隙中生成磁通量。

技術領域

本申請涉及半導體器件，并且特別是涉及半導體測試方法和裝置。

背景技術

半導體晶體管，特別是諸如MISFET（金屬絕緣體半導體場效應晶體管）和HEMT（高電子遷移率場效應晶體管）之類的場效應控制的開關器件被使用在各種各樣的應用中，MISFET在下文中也被稱為MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），HEMT還已知為異質結構FET（HFET）和調制摻雜的FET（MODFET）。HEMT是包含在具有不同的帶隙的兩種材料（諸如GaN和AlGaN）之間的所謂的異質結的晶體管。在基于GaN/AlGaN的HEMT中，二維電子氣（2DEG）在AlGaN勢壘層和GaN緩沖層之間的界面附近出現。在HEMT中，2DEG形成器件的溝道。可以利用類似的原理來選擇形成作為器件的溝道的二維空穴氣（2DHG）的緩沖層和勢壘層。2DEG或2DHG一般被稱為二維載流子氣。二維載流子氣是固有地導電的。

由于在異質結構造中的二維載流子氣的高電子遷移率，與許多常規的半導體晶體管設計相比，HEMT提供高傳導和低損耗。這些有利的傳導特性使HEMT在以下應用中是合期望的，該應用包括但是不限制于：例如在電源和功率轉換器、電動汽車、空調以及在消費電子產品中用作為開關。

在HEMT中，提供器件的溝道的二維載流子氣的電荷載流子密度是重要的性能參數。出于該原因，想要的是對處于制造中的HEMT器件的二維載流子氣的電荷載流子密度進行測試。常規地，該種類的測量僅僅已經在裸半導體晶片上是可能的。也就是，直到目前尚不可能在這些器件的制造期間就測量單個集成電路（例如，分立的HEMT）的電荷載流子密度。

發明內容

根據實施例，公開了一種測試半導體晶片的方法。方法包括提供半導體測試裝置。半導體測試裝置包括：具有測試部位的測試平臺，測試部位被配置為保護半導體晶片；以及被附接到測試臂的探針測試卡。探針測試卡包括：朝向彼此延伸的一對導電探針，具有在該對導電探針的各端部之間的間隙；以及被部署在間隙上方的線圈。方法進一步包括將具有多個測試部位的半導體晶片裝載到半導體測試裝置的測試部位中。方法進一步包括使半導體晶片移動到測試部位中，以使得該對導電探針接觸半導體測試部位中的第一測試部位。方法進一步包括：施加通過線圈的電流，由此在半導體晶片處于測試位置中的情況下生成朝向第一半導體測試部位的磁通量。

根據實施例，公開了一種用于測試半導體器件的探針測試卡。探針測試卡包括：印刷電路板；一對導電探針，其朝向彼此延伸并且遠離印刷電路板突出，具有部署在該對導電探針的各端部之間的間隙；以及線圈，被附接到印刷電路板并且被電連接到印刷電路板，并且被直接部署在間隙的上方。探針測試卡被配置為當施加通過線圈的電流時，在該對導電探針的各端部之間的間隙中生成磁通量。

根據實施例，公開了一種半導體測試裝置。半導體測試裝置包括：具有測試部位的測試平臺，測試部位被配置為保護半導體晶片；以及被附接到測試臂的探針測試卡。探針測試卡包括：一對導電探針，其朝向彼此延伸，具有在該對導電探針的各端部之間的間隙；以及被部署在間隙上方的線圈。半導體測試裝置進一步包括第一功率有限供給測量單元和第二功率有限供給測量單元。半導體測試裝置被配置為：使半導體晶片移動到測試位置中，其中導電探針接觸被部署在測試部位中的半導體晶片的半導體測試部位；以及施加通過線圈的電流，由此在半導體晶片處于測試位置中的情況下生成朝向第一半導體測試部位的磁通量。

附圖說明

附圖的元件不一定相對彼此成比例。同樣的參考標號標明對應的相似部分。各種所圖示的實施例的特征可以被組合，除非它們彼此排斥。在附圖中描繪了實施例，并且實施例被在以下的描述中詳述。