[發明專利]蝕刻方法

有效

• 申請號: 201810448503.3
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN108878285B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 熊倉翔;田端雅弘
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種對被處理體進行蝕刻的蝕刻方法，其特征在于：

該被處理體包括第一區域和與該第一區域相接的第二區域，

所述蝕刻方法具有包括以下步驟的流程：

第一步驟，在收納所述被處理體的等離子體處理裝置的處理容器內生成第一氣體的等離子體，在所述第一區域的露出面的原子層形成包含該第一氣體的等離子體所含的離子的混合層；

第二步驟，在實施了所述第一步驟之后，對所述處理容器內的空間進行吹掃；

第三步驟，在實施了所述第二步驟之后，在所述處理容器內生成第二氣體的等離子體，通過該第二氣體的等離子體所含的自由基來除去所述混合層；和

第四步驟，在實施了所述第三步驟之后，對所述處理容器內的空間進行吹掃，

通過反復實施包括所述第一步驟至所述第四步驟的所述流程，將所述第一區域按每個原子層來除去，從而蝕刻該第一區域，

第一區域包含碳化硅，

第二區域包含氮化硅，

第一氣體包含氮，

第二氣體包含氟。

2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

在所述第一步驟中，對所述第一氣體的等離子體施加偏置電壓，在所述第一區域的露出面的原子層形成包含所述離子的所述混合層。

3.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第一氣體是N₂氣體或者包含N₂氣體和O₂氣體的混合氣體。

4.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第二氣體是包含NF₃氣體、H₂氣體、O₂氣體和Ar氣體的混合氣體。

5.一種在處理容器中對被處理體進行蝕刻的蝕刻方法，其特征在于：

該被處理體具有包含SiC的第一區域和包含Ti、TiN、TiO_X、W、WC、Hf、HfO_X、Zr、ZrO_X、Ta、SiO₂、Si、SiGe、Ge或Ru的第二區域，其中X為正數，

所述蝕刻方法具有包括以下步驟的流程：

生成包含氮的第一氣體的等離子體，通過該第一氣體的等離子體所含的離子來將所述第一區域的露出面改性，形成包含氮、硅和碳的混合層的步驟；和

在實施了形成所述混合層的所述步驟之后，在所述處理容器內生成包含氟的第二氣體的等離子體，除去所述混合層的步驟，

通過反復實施所述流程，來將所述第一區域除去。

6.如權利要求5所述的蝕刻方法，其特征在于：

還包括在形成所述混合層的所述步驟與除去所述混合層的所述步驟之間，或在除去所述混合層的所述步驟之后，對所述處理容器內的空間進行吹掃的步驟。

7.如權利要求5或6所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第一氣體包含N₂氣體、NH₃氣體、NO氣體、NO₂氣體中的至少一種氣體，

所述第二氣體包含NF₃氣體、SF₆氣體、CF₄氣體中的至少一種氣體。

8.如權利要求7所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第一氣體還包含O₂氣體、CO₂氣體、CO氣體、NO氣體、NO₂氣體中的至少一種氣體。

9.如權利要求8所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第二氣體還包含H₂氣體、D₂氣體、NH₃氣體、O₂氣體、CO₂氣體、CO氣體、NO氣體、NO₂氣體中的至少一種氣體。

10.一種蝕刻方法，其特征在于，具有：

準備具有由第一材料構成的第一區域和包含與所述第一材料不同的材料的第二區域的被處理體的步驟；

使所述被處理體暴露于氮的等離子體中，將所述第一區域的露出面改性，形成包含氮、硅和碳的層的步驟；和

在形成所述層的所述步驟之后，使所述被處理體暴露于氟的等離子體中，除去包含氮的所述層的步驟，

通過反復實施形成所述層的所述步驟和除去所述層的所述步驟，來將所述第一區域除去。