[發明專利]芯片封裝

有效

• 申請號: 201810447022.0
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN109637983B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 高國書;張道智;陳文志;余泰君;邱柏凱;林彥廷;韓偉國
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種芯片封裝，其特征在于，包括：

導線架，具有第一表面及相對于所述第一表面的第二表面，所述導線架包括引腳；

芯片，設置于所述導線架的所述第一表面上并電連接于所述導線架；

散熱堆疊結構，設置于所述導線架的所述第二表面上，包括：

第一熱界面材料層，包括朝向所述芯片的頂表面；以及

第二熱界面材料層，位于所述導線架與所述第一熱界面材料層之間并覆蓋所述第一熱界面材料層的所述頂表面，所述第二熱界面材料層包括連接于所述導線架的所述第二表面的頂表面與相對于所述頂表面的底表面，其中所述第一熱界面材料層的所述頂表面的面積相等于所述第二熱界面材料層的所述底表面的面積，并大于所述第二熱界面材料層的所述頂表面的面積；以及

絕緣密封體，包覆所述芯片、所述散熱堆疊結構及所述導線架，其中所述導線架的所述引腳自所述絕緣密封體內延伸出，其中，

所述第一熱界面材料層的所述頂表面與所述第二熱界面材料層的所述底表面呈現彼此相互對應的凹凸形狀，

其中，所述第一熱界面材料層的熱傳導系數介于3W/mK至15W/mK之間，所述第二熱界面材料層的熱傳導系數介于1W/mK至7W/mK之間，

并且其中，所述第一熱界面材料層的厚度大于所述第二熱界面材料層的厚度。

2.如權利要求1所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述第一熱界面材料層的熱傳導系數大于所述第二熱界面材料層的熱傳導系數。

3.如權利要求1所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述第一熱界面材料層的黏滯系數大于所述第二熱界面材料層的黏滯系數。

4.如權利要求1所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述第一熱界面材料層的粘著性小于所述第二熱界面材料層的粘著性。

5.如權利要求1所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述散熱堆疊結構還包括至少位于所述第一熱界面材料層中或位于所述第二熱界面材料層中的導熱塊。

6.如權利要求1所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述散熱堆疊結構還包括：

散熱件，交疊于所述第一熱界面材料層且連接相對于所述第一熱界面材料層的所述頂表面的底表面。

7.一種芯片封裝，其特征在于，包括：

芯片；

芯片承載板，承載所述芯片并與所述芯片電連接；

散熱堆疊結構，位于所述芯片承載板相對于承載所述芯片的一側，所述散熱堆疊結構包括：

第一熱界面材料層；

第二熱界面材料層，堆疊于所述第一熱界面材料層上；以及

第三熱界面材料層，堆疊于所述第二熱界面材料層上，并位于所述芯片承載板與所述第二熱界面材料層之間，其中所述第二熱界面材料層的材料不同于所述第一熱界面材料層的材料與所述第三熱界面材料層的材料；以及

絕緣密封體，包覆所述芯片、所述散熱堆疊結構及所述芯片承載板，并暴露出所述芯片承載板的一部分，

其中所述第二熱界面材料層的厚度大于所述第一熱界面材料層的厚度，并大于所述第三熱界面材料層的厚度；

所述第二熱界面材料層的熱傳導系數介于3W/mK至15W/mK之間，且所述第一熱界面材料層及所述第三熱界面材料層的熱傳導系數介于1W/mK至7W/mK之間。

8.如權利要求7所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述第二熱界面材料層的體積大于所述第一熱界面材料層的體積，并大于所述第三熱界面材料層的體積。

9.如權利要求7所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述第二熱界面材料層的熱傳導系數大于所述第一熱界面材料層的熱傳導系數，并大于所述第三熱界面材料層的熱傳導系數。

10.如權利要求7所述的芯片封裝，其特征在于，其中所述第二熱界面材料層的黏滯系數大于所述第一熱界面材料層的粘滯系數，并大于所述第三熱界面材料層的黏滯系數。