[發(fā)明專利]涂膠顯影機(jī)的加熱裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810446108.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108630584A | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許邦泓;趙弘文;楊然富 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201315 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 頂針 熱板 涂膠顯影機(jī) 步進(jìn)馬達(dá) 加熱裝置 晶圓 空間位置 穿孔 加熱 降低設(shè)備 上下移動(dòng) 同一工藝 溫度處理 逐漸降低 工藝腔 加熱源 配套的 使用率 腔內(nèi) 穿過(guò) 移動(dòng) 生產(chǎn) | ||
1.一種涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：加熱裝置由熱板、頂針和步進(jìn)馬達(dá)組合而成；
所述熱板上設(shè)置有和所述頂針配套的穿孔；
所述頂針穿過(guò)所述穿孔進(jìn)行上下移動(dòng)；
所述步進(jìn)馬達(dá)控制所述頂針的移動(dòng)且控制所述頂針的頂部位于所述熱板上的位置；
晶圓在加熱時(shí)放置在所述頂針的頂部，所述熱板提供加熱源，從所述熱板的表面往上的空間范圍內(nèi)在抽氣氣流的作用下溫度逐漸降低，通過(guò)所述步進(jìn)馬達(dá)控制所述頂針頂部的位置來(lái)設(shè)定所述晶圓所處的空間位置并進(jìn)而設(shè)置所述晶圓的工藝溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述頂針的根數(shù)為至少3根。
3.如權(quán)利要求1所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述晶圓的工藝溫度包括多個(gè)。
4.如權(quán)利要求3所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述熱板的表面的溫度最高，所述晶圓的工藝溫度小于等于所述熱板的表面溫度。
5.如權(quán)利要求3所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述晶圓位于所述熱板表面時(shí)，所述熱板通過(guò)熱傳導(dǎo)方式、對(duì)流和輻射的方式對(duì)所述晶圓加熱。
6.如權(quán)利要求3所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述晶圓位于所述熱板表面上方對(duì)應(yīng)的空間位置時(shí)，所述熱板通過(guò)輻射或?qū)α鞣绞綄?duì)所述晶圓加熱。
7.如權(quán)利要求1所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述晶圓的材料為硅或砷化鎵。
8.如權(quán)利要求1所述的涂膠顯影機(jī)的加熱裝置，其特征在于：所述加熱裝置對(duì)涂布在所述晶圓表面的旋涂材料進(jìn)行加熱。
9.一種涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、進(jìn)行加熱裝置的設(shè)置，將所述加熱裝置設(shè)置為由熱板、頂針和步進(jìn)馬達(dá)組合而成的結(jié)構(gòu)；
所述熱板上設(shè)置有和所述頂針配套的穿孔；
所述頂針穿過(guò)所述穿孔進(jìn)行上下移動(dòng)；
所述步進(jìn)馬達(dá)控制所述頂針的移動(dòng)且控制所述頂針的頂部位于所述熱板上的位置；
步驟二、將晶圓放置到所述頂針的頂部，對(duì)所述熱板提供加熱源，從所述熱板的表面往上的空間范圍內(nèi)在抽氣氣流的作用下溫度逐漸降低，通過(guò)所述步進(jìn)馬達(dá)控制所述頂針頂部的位置來(lái)設(shè)定所述晶圓所處的空間位置并進(jìn)而設(shè)置所述晶圓的工藝溫度。
10.如權(quán)利要求9所述的涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于：所述頂針的根數(shù)為至少3根。
11.如權(quán)利要求9所述的涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于：所述晶圓的工藝溫度包括多個(gè)。
12.如權(quán)利要求11所述的涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于：所述熱板的表面的溫度最高，所述晶圓的工藝溫度小于等于所述熱板的表面溫度。
13.如權(quán)利要求11所述的涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于：所述晶圓位于所述熱板表面時(shí)，所述熱板通過(guò)熱傳導(dǎo)方式、對(duì)流和輻射的方式對(duì)所述晶圓加熱。
14.如權(quán)利要求11所述的涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于：所述晶圓位于所述熱板表面上方對(duì)應(yīng)的空間位置時(shí)，所述熱板通過(guò)輻射或?qū)α鞣绞綄?duì)所述晶圓加熱。
15.如權(quán)利要求9所述的涂膠顯影機(jī)的加熱方法，其特征在于：所述加熱裝置對(duì)涂布在所述晶圓表面的旋涂材料進(jìn)行加熱。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
