[發明專利]一種污水處理用生物反應與吸附凈水裝置在審
| 申請號: | 201810445827.1 | 申請日: | 2015-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN108585363A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 李建樹 | 申請(專利權)人: | 天津中天精科科技有限公司 |
| 主分類號: | C02F9/14 | 分類號: | C02F9/14;C02F1/28;B01J20/30;B01J20/24 |
| 代理公司: | 北京瑞盛銘杰知識產權代理事務所(普通合伙) 11617 | 代理人: | 鄭海松 |
| 地址: | 300385 天津市西青區西青經濟技*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 好氧池 曝氣池 厭氧反應池 吸附裝置 進光筒 填料層 空氣壓縮裝置 凈水裝置 生物反應 升溫裝置 沉淀池 攪拌器 吸附層 吸附 污水處理 凸透鏡 污水處理效率 反應速度快 空氣壓縮機 附著生物 空氣儲罐 驅動葉輪 網狀隔板 有效處理 中空結構 保溫層 出氣口 管道排 攪拌軸 曝氣器 升溫板 吸附劑 支架 過濾 污染物 污水 | ||
本發明涉及一種污水處理用生物反應與吸附凈水裝置,包括沉淀池、曝氣池、升溫裝置和吸附裝置。所述沉淀池連接有曝氣池,曝氣池包括厭氧反應池、好氧池和空氣壓縮裝置,曝氣池后連接吸附裝置。厭氧反應池內設有攪拌器,攪拌器的攪拌軸安裝于厭氧反應池的頂部,其上安裝有驅動葉輪;空氣壓縮裝置包括空氣壓縮機,其出氣口連接空氣儲罐;好氧池內設置有不少于1層的填料層,填料層附著生物膜,填料層的下方設置有曝氣器;所述升溫裝置設于好氧池內,包括凸透鏡、支架、保溫層、進光筒和升溫板,進光筒為圓柱形,進光筒內部為中空結構;所述吸附裝置連接好氧池,內有不少于1層的吸附層,吸附層上下設有網狀隔板,內有吸附劑,過濾后水通過管道排出。本發明有效處理了污水中的多種污染物,反應速度快,污水處理效率高。
本申請是以下申請的分案申請:申請日為2015年9月24日,申請號為201510612850.1,發明名稱為一種污水處理用生物反應與吸附凈水裝置。
技術領域
本發明涉及一種污水處理用生物反應與吸附凈水裝置,具體是一種污水處理用的凈水裝置。
背景技術
現代工業及日常生活中污水的處理是關鍵的步驟,對環境的保護至關重要。尤其是在造紙、印染、化工等工業領域,每天都會產生大量廢水,這些廢水若不經處理排放,對環境的破壞是非常嚴重的。目前主要采用物理、生物、及化學的方法對工業廢水和生活污水進行處理以分離水中的固體污染物并降低水中的有機污染物和富營養物(主要為氮、磷化合物),從而減輕污水對環境的污染。目前,污水處理主要包括預處理系統、生化處理系統和泥水過濾系統三大系統,對處理后污水仍殘余的有毒有害物質且沒有有效的處理方式與裝置。同時在大部分的生化處理池中,都配置了推流器用來保持池中污水保持流動狀態,促進生化反應的進行。但推流器在污水中極易被腐蝕,使處理效率降低,增加污水處理成本,而且通常生物處理污水在溫度較低的條件下,反應速度慢,污水處理效率低的。
發明內容
本發明的目的在于提供一種污水處理用生物反應池,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種污水處理用生物反應裝置,包括沉淀池、曝氣池和升溫裝置和吸附裝置,所述沉淀池的側壁距地面約1/2處設有連接所述曝氣池頂部入水口的管道;所述曝氣池包括:通過連接管道依次連接的內部的厭氧反應池、好氧反應池,以及空氣壓縮裝置。所述曝氣池通過管道連接吸附裝置,吸附裝置內設有內設有不少于1層的層狀吸附過濾結構,層內裝填有吸附劑。
所述曝氣池內部的厭氧反應池內設置有攪拌器,攪拌器包括攪拌軸和設置于攪拌軸下部的攪拌葉輪,攪拌軸通過軸承旋轉安裝于厭氧反應池的頂部,攪拌軸的上端伸出厭氧反應池,攪拌軸伸出厭氧反應池的部分上安裝有驅動葉輪;所述空氣壓縮裝置放置于好氧池頂部,包括空氣壓縮機,空氣壓縮機的出氣口通過管道連接空氣儲罐,空氣儲罐的出氣口通過管路分別連接厭氧反應池頂部和曝氣器,空氣儲罐連接厭氧反應池頂部的管路的出風口正對驅動葉輪;所述好氧池內設置有不少于1層的填料層,填料層附著生物膜,填料層的下方設置有曝氣器。
所述升溫裝置上端略超過水位標線,下端位于好氧池垂直方向距池底約1/4處,所述好氧池內設有安裝支撐位置,有不少于1個的所述升溫裝置陣列設于所述好氧池中。升溫裝置包括凸透鏡、支架、保溫層、進光筒和升溫板,所述進光筒為圓柱形,進光筒內部為中空結構;所述支架位于進光筒的上方,凸透鏡位于支架上,凸透鏡的直徑大于進光筒的直徑,凸透鏡中心位于進光筒的中心軸線上;所述進光筒內壁設有一層反光鏡,反光鏡為圓筒形,保溫層包裹在進光筒的外表面,升溫板位于進光筒的底部;所述吸附裝置連接好氧池,所述的升溫裝置上端略超過水位標線,下端位于好氧池垂直方向距池底約1/4處,所述好氧池內設有安裝支撐位置,有不少于1個的所述升溫裝置陣列設于所述好氧池中。
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