[發(fā)明專利]制造三維半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810445608.3
• 申請(qǐng)日: 2018-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN108878357B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)容賢;張大鉉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種制造三維半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在包括圖案區(qū)和與所述圖案區(qū)相鄰的緩沖區(qū)的下層上堆疊第一硬掩模層和第二硬掩模層；

圖案化所述第二硬掩模層以形成第二硬掩模圖案，所述第二硬掩模圖案包括所述圖案區(qū)上的多個(gè)第一掩模孔和所述緩沖區(qū)上的至少一個(gè)凹部，所述多個(gè)第一掩模孔暴露所述第一硬掩模層；以及

使用所述第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所述第一硬掩模層，以形成第一硬掩模圖案，所述第一硬掩模圖案包括所述圖案區(qū)上的多個(gè)蝕刻掩模孔和所述緩沖區(qū)上的至少一個(gè)緩沖掩模孔，所述多個(gè)蝕刻掩模孔暴露所述下層的頂表面，所述至少一個(gè)緩沖掩模孔具有與所述下層的頂表面間隔開的底表面，

其中，所述第一硬掩模層構(gòu)成單層，并且

其中，在形成所述第一硬掩模圖案期間，所述第一硬掩模圖案的一部分保留在所述至少一個(gè)緩沖掩模孔下方，并且所述至少一個(gè)緩沖掩模孔暴露所述第一硬掩模圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述凹部具有第一寬度，并且所述第一掩模孔具有大于所述第一寬度的第二寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述緩沖掩模孔具有沿一個(gè)方向延伸的線性形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一硬掩模圖案包括：蝕刻所述第二硬掩模圖案的所述凹部以形成暴露所述第一硬掩模圖案的第二掩模孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述緩沖掩模孔的深度大于所述第二硬掩模層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，

所述第一掩模孔以第一距離彼此間隔開，以及

所述第二掩模孔和所述第一掩模孔中的相應(yīng)最鄰近的第一掩模孔以等于或大于所述第一距離的第二距離間隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

使用所述第一硬掩模圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所述下層以在所述圖案區(qū)上形成通孔，所述通孔穿透所述下層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在形成所述通孔期間，所述第一硬掩模圖案的一部分保留在所述緩沖掩模孔下方。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第二硬掩模圖案包括：

在所述第二硬掩模層上形成第一掩模圖案，所述第一掩模圖案包括所述緩沖區(qū)上的第一開口；

使用所述第一掩模圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所述第二硬掩模層的一部分以形成所述凹部；

去除所述第一掩模圖案；

在所述第二硬掩模層上形成第二掩模圖案，所述第二掩模圖案填充所述凹部，并且包括所述圖案區(qū)上的第二開口；以及

使用所述第二掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述第二硬掩模層以形成所述第一掩模孔。

10.一種制造三維半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供包括圖案區(qū)和所述圖案區(qū)之間的緩沖區(qū)的襯底；

在所述襯底上形成薄層結(jié)構(gòu)，所述薄層結(jié)構(gòu)包括交替且豎直堆疊的犧牲層和絕緣層；

在所述薄層結(jié)構(gòu)上形成第一硬掩模圖案，所述第一硬掩模圖案包括所述緩沖區(qū)上的至少一個(gè)緩沖掩模孔和所述圖案區(qū)中的每一個(gè)圖案區(qū)上的多個(gè)蝕刻掩模孔，所述至少一個(gè)緩沖掩模孔具有與所述薄層結(jié)構(gòu)的頂表面間隔開的底表面，所述多個(gè)蝕刻掩模孔暴露所述薄層結(jié)構(gòu)的頂表面；以及

使用所述第一硬掩模圖案作為蝕刻掩模各向異性地蝕刻所述薄層結(jié)構(gòu)，

其中，在蝕刻所述薄層結(jié)構(gòu)期間，所述第一硬掩模圖案的一部分保留在所述至少一個(gè)緩沖掩模孔下方。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述緩沖掩模孔具有第一寬度，并且所述蝕刻掩模孔具有大于所述第一寬度的第二寬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述緩沖掩模孔具有沿一個(gè)方向延伸的線性形狀。