[發(fā)明專利]偏置脈沖CMP溝槽圖案

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810445365.3
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN109079649B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·V·阮;T·Q·陳;J·J·亨德倫;J·R·斯塔克
• 申請（專利權(quán)）人: 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

1.一種拋光墊，其適用于拋光或平坦化半導體、光學和磁性襯底中的至少一種的晶片，所述拋光墊包括以下：

具有聚合物基質(zhì)和厚度的拋光層，所述拋光層包括所述拋光墊的中心、外邊緣和從所述中心延伸到所述外邊緣的半徑；

位于所述拋光層中的徑向進料槽，所述徑向進料槽將所述拋光層分成拋光區(qū)域，所述徑向進料槽從鄰近于所述中心的位置至少延伸至鄰近于所述拋光墊的所述外邊緣的位置；和

每個拋光區(qū)域，其包括連接一對相鄰徑向進料槽的一系列偏置溝槽，大多數(shù)的所述偏置溝槽向內(nèi)偏向所述拋光墊的所述中心或向外偏向所述拋光墊的所述外邊緣，所述向內(nèi)與向外偏置溝槽均用于拋光液向所述拋光墊的所述外邊緣移動，并且移向所述晶片或遠離晶片取決于向內(nèi)偏置或向外偏置和所述拋光墊的旋轉(zhuǎn)方向，其中所述偏置溝槽總數(shù)目是所述徑向進料槽總數(shù)目的至少十五倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所有拋光區(qū)域都具有相同的所述偏置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，包括向內(nèi)偏置，用于在所述拋光墊和晶片的逆時針旋轉(zhuǎn)期間延長漿液在所述晶片下的滯留時間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中所述拋光墊包括至少三個徑向進料槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊，其中連接一對相鄰徑向進料槽的所述系列偏置溝槽是平行線性溝槽。

6.一種拋光墊，其適用于拋光或平坦化半導體、光學和磁性襯底中的至少一種的晶片，所述拋光墊包括以下：

具有聚合物基質(zhì)和厚度的拋光層，所述拋光層包括所述拋光墊的中心、外邊緣和從所述中心延伸到所述外邊緣的半徑；

位于所述拋光層中的徑向進料槽，所述徑向進料槽將所述拋光層分成拋光區(qū)域，所述拋光區(qū)域是由兩個相鄰徑向進料槽、平分所述拋光區(qū)域的偏向線所界定的圓扇區(qū)，所述徑向進料槽從鄰近于所述中心的位置至少延伸到鄰近于所述外邊緣的位置；和

每個拋光區(qū)域，其包括連接一對相鄰徑向進料槽的一系列偏置溝槽，大多數(shù)的所述偏置溝槽按與所述平分線成20°至85°的角向內(nèi)偏向所述拋光墊的所述中心或按與所述平分線成95°至160°的角向外偏向所述拋光墊的所述外邊緣，所述向內(nèi)和向外偏置溝槽均用于拋光液向所述拋光墊的所述外邊緣的移動，并且移向所述晶片或遠離所述晶片取決于向內(nèi)偏置或向外偏置和所述拋光墊的旋轉(zhuǎn)方向，其中所述偏置溝槽總數(shù)目是所述徑向進料槽總數(shù)目的至少十五倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，其中所有拋光區(qū)域都具有相同的所述偏置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，包括向內(nèi)偏置，用于在所述拋光墊和晶片的逆時針旋轉(zhuǎn)期間延長漿液在所述晶片下的滯留時間。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，其中所述拋光墊包括至少三個徑向進料槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光墊，其中連接一對相鄰徑向進料槽的所述系列偏置溝槽是平行線性溝槽。