[發明專利]一種干切削刀具及其制備方法

有效

• 申請號: 201810443034.6
• 申請日: 2018-05-10
• 公開（公告）號: CN108624881B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 劉杰;代慧;黃學飛;盛永華;周華
• 申請（專利權）人: 廣州番禺職業技術學院
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/36;C23C14/35;C23C14/14
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳燕嫻

1.一種干切削刀具，該刀具設置有軟涂層的納米級凹槽，刀具表面設置有復合涂層，其特征在于：該復合涂層從內到外依次包括TiN、Al₂O₃、TiCN、cBN，及MoS₂-Ti，所述TiN涂層的厚度為5～10μm，所述Al₂O₃涂層的厚度為10～20μm，所述TiCN涂層的厚度為5～10μm，所述cBN涂層的厚度為5～15μm，所述MoS₂-Ti涂層的厚度為10～15μm，所述TiN、Al₂O₃、TiCN及cBN涂層采用化學氣相沉積制得，所述MoS₂-Ti涂層采用物理氣相沉積制得；

所述TiN涂層采用N₂作為氮源反應氣體，采用TiCl₄作為鈦源反應材料，采用H₂作為載氣和稀釋氣體；所述TiCN涂層采用N₂作為氮源反應氣體，采用TiCl₄作為鈦源反應材料，采用CH₃CN作為碳源反應氣體，采用H₂作為載氣和稀釋氣體；所述Al₂O₃涂層采用AlCl₃作為鋁源反應氣體，采用CO₂和H₂O作為氧化氣體，載氣為H₂，并增加催化氣體PCl₃；cBN涂層采用N₂和NH₃作為氮源反應氣體，采用BF₃作為硼源反應氣體，采用H₂作為載氣和稀釋氣體；MoS₂-Ti涂層采用物理氣相沉積中的磁控濺射離子鍍的方法，采用Ti靶和兩個MoS₂靶制得；

干切削刀具的前刀面設置有納米級凹槽，所述凹槽的截面為三角形，三角形的第一邊的方向沿著前刀面，第二邊的方向垂直于前刀面，第三邊的方向與前刀面有一夾角。

2.根據權利要求1中所述的干切削刀具，其特征在于，所述TiN涂層及所述TiCN涂層采用TiCl₄為鈦源反應氣體，先將TiCl₄的溫度升高到136℃以上，采用水浴加熱來獲得TiCl₄氣體，并用載氣H₂進行輸送。