[發明專利]一種新型三維集成封裝結構在審
| 申請號： | 201810442806.4 | 申請日： | 2018-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN108598062A | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 姚昕;明雪飛;吉勇 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 總裝工程兵科研一所專利服務中心 32002 | 代理人： | 張婉 |
| 地址： | 214000*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝結構 三維集成 芯片 再布線層 互連 二維結構 功能芯片 結構表面 金屬材料 生產效率 信號互連 引線鍵合 成品率 集成度 鍵合絲 微凸點 系統級 倒扣 多層 二維 減小 通孔 凸點 粘接 封裝 | ||
1.一種新型三維集成封裝結構的制作方法，其特征在于：
A、根據芯片尺寸大小、芯片焊盤或凸點分布、電互連設計要求，設計制作TSV轉接板圓片，TSV轉接板圓片包含再布線層，再布線實現TSV轉接板內部互連；
B、在所述TSV轉接板圓片背面上制作若干凹槽，所述凹槽尺寸、厚度與所述芯片尺寸、厚度相匹配；
C、將芯片高精度倒扣焊在TSV轉接板圓片凹槽中，芯片凸點與凹槽中TSV焊盤焊接互連；
D、在所述TSV轉接板圓片背面TSV焊盤上制作微凸點，最后切割，形成單顆的基于TSV技術的二維集成封裝結構；
E、所述二維集成封裝結構通過TSV中填充金屬實現芯片與TSV轉接板互連集成，然后通過轉接板微凸點實現多顆二維集成封裝結構Z向堆疊集成，制成三維集成封裝結構。
2.根據權利要求1所述的制成三維集成封裝結構的方法，其特征在于：芯片與凹槽焊盤互連還可以通過引線鍵合互連工藝實現。
3.根據權利要求1所述的制成三維集成封裝結構的方法，其特征在于：芯片可實現多功能、系統級三維集成。
4.根據權利要求1所述的制成三維集成封裝結構的方法，其特征在于：三維封裝結構互連還可以是包含二維集成封裝結構圓片的三維堆疊集成。
5.一種三維集成封裝結構，其特征在于：
所述三維集成封裝結構由若干個二維封裝結構通過TSV轉接板微凸點互連；
所述二維封裝結構包括芯片、TSV轉接板、再布線層、鍵合絲，以及微凸點，其中，芯片倒扣焊或者粘接在TSV轉接板凹槽內，在所得TSV轉接板表面設有再布線層，并且通過再布線層、芯片凸點/鍵合絲、以及TSV轉接板通孔金屬實現芯片的信號互連。
6.根據權利要求1所述三維集成封裝結構，其特征在于：芯片與凹槽焊盤互連還可以通過引線鍵合互連工藝實現。
7.根據權利要求1所述三維集成封裝結構，其特征在于：芯片可實現多功能、系統級三維集成。
8.根據權利要求1所述新型三維集成封裝結構，其特征在于：三維封裝結構互連還可以是包含二維集成封裝結構圓片的三維堆疊集成。
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