[發明專利]一種可單片集成的負溫度系數補償振蕩器電路

有效

• 申請號: 201810440961.2
• 申請日: 2018-05-10
• 公開（公告）號: CN108365844B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 張梁堂;蔡志猛;李志陽;楊靜;湯麗華
• 申請（專利權）人: 廈門華廈學院
• 主分類號: H03L1/02
• 分類號: H03L1/02
• 代理公司: 廈門仕誠聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 35227
• 代理人: 樂珠秀

一種可單片集成的負溫度系數補償振蕩器電路包括啟動電路、偏置電路、溫度補償電路和振蕩器電路；振蕩器電路中的充放電電容為PIP電容，其電容值具有正溫度特性，即隨著溫度的上升，電容值增大，為補償該電容的正溫度特性，本發明采用負溫度系數的偏置電路和溫度補償電路，選用負溫度系數的電阻組合對電容的充放電電流進行溫度補償，以抵消電容的正溫度特性，實現振蕩器時鐘頻率的精確輸出。

技術領域

本發明涉及一種補償振蕩器電路，特別提供一種可單片集成的負溫度系數補償振蕩器電路。

背景技術

傳統振蕩器電路一般采用片外晶體振蕩器來得到時鐘信號，晶體振蕩器和鎖相環結合能得到穩定的時鐘，但需要芯片提供單獨的引腳，不利于集成和產品的小型化，并增加了應用成本。而可片內集成的振蕩器電路，一般通過對電容的充放電實現，其結構簡單，但振蕩頻率易受生產工藝和應用溫度的影響，產品的一致性較差。

發明內容

為了解決上述問題，本發明的目的是提供了一種實現振蕩器時鐘頻率的精確輸出的可單片集成的負溫度系數補償振蕩器電路。

為達到上述目的，本發明的技術方案如下：一種可單片集成的負溫度系數補償振蕩器電路包括啟動電路、偏置電路、溫度補償電路和振蕩器電路；

所述啟動電路包括P型場效應管MP1、MP2，N型場效應管MN1、MN2和電容C1；所述P型場效應管MP1的柵極與P型場效應管MP2的柵極連接后接地，漏極和P型場效應管MP2的漏極連接電源，源極連接N型場效應管MN1的漏極；所述N型場效應管MN1的漏極與柵極兩端相連，柵極連接N型場效應管MN2的柵極，源極接地；所述N型場效應管MN2的漏極連接P型場效應管MP2的源極和電容C1的一端，源極連接電容C1另一端；

所述偏置電路包括P型場效應管MP3、MP4、MP5，三極管Q1、Q2和電阻R1、R2；所述P型場效應管MP3、MP4、MP5的漏極連接電源；所述P型場效應管MP3的柵極和源極兩端相連，柵極連接P型場效應管MP4的柵極，源極連接三極管Q1的集電極；所述P型場效應管MP4的源極連接在所述啟動電路中的N型場效應管MN2和電容C1之間，同時連接三極管Q1的基極和三極管Q2的集電極；所述P型場效應管MP5的柵極接于P型場效應管MP3和P型場效應管MP4之間，源極通過電阻R2接地；所述三極管Q1的發射極通過電阻R1接地；所述三極管Q2的基極接于三極管Q1和電阻R1之間，發射極接地；

所述溫度補償電路包括電阻R3、R4，修調電阻陣列Rtrim，PNP型三極管Q3，NPN型三極管Q4和P型場效應管MP6；所述電阻R3的一端和P型場效應管MP6的漏極接電源，所述電阻R3的另一端連接三極管Q3的發射極；所述P型場效應管MP6的柵極和源極兩端相連，源極連接三極管Q4的集電極；所述三極管Q4的發射極通過修調電阻陣列Rtrim接地，基極接于電阻R3和三極管Q3之間；所述三極管Q3的基極接于偏置電路中的P型場效應管MP5和電阻R2之間，集電極通過電阻R4接地；