[發(fā)明專利]一種雙硼熒光材料及其制備方法、OLED器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810440310.3 | 申請日: | 2018-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN108342192B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孟鴻;邱方程;閆麗佳;胡釗;朱亞楠 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號: | C07F5/02 | 分類號: | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 44268 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 王永文;劉文求<國際申請>=<國際公布> |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光材料 制備 能級 分子結(jié)構(gòu)通式 延遲熒光材料 芳環(huán)取代基 高量子效率 熒光發(fā)射 并五苯 硫原子 硼基團(tuán) 氧原子 苯環(huán) 菲環(huán) 母核 萘環(huán) 蒽環(huán) 發(fā)光 | ||
1.一種雙硼熒光材料,其特征在于,所述雙硼熒光材料的分子結(jié)構(gòu)通式為其中,Ar為芳環(huán)取代基,X為氧原子、硫原子或中的一種,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11獨立的選自碳原子數(shù)為1-30的烷烴、碳原子數(shù)為6-60的稠環(huán)芳烴基、碳原子數(shù)為5-50的仲氨基、五元烷烴基和六元烷烴基中的一種,其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8取代基數(shù)量獨立為0-4的整數(shù),R9、R10、R11取代基數(shù)量獨立為0-5的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙硼熒光材料,其特征在于,所述Ar為苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、芘環(huán)、屈環(huán)、并五苯或菲環(huán)中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙硼熒光材料,其特征在于,所述雙硼熒光材料的分子結(jié)構(gòu)包括:
4.一種雙硼熒光材料的制備方法,其特征在于,包括步驟:
在惰性氣氛下,將二溴芳烴、頻哪醇硼酸酯、Pd2(dba)3和乙酸鈉加入到DMF中,加熱回流制得二頻哪醇硼芳烴;
將所述二頻哪醇硼芳烴加入到乙酸銨的乙酸溶液中混合,反應(yīng)制得二(二甲氧基)硼芳烴;
將所述二(二甲氧基)硼芳烴與2,2`-二溴三苯胺以及正丁基鋰混合,反應(yīng)制得分子結(jié)構(gòu)式為的雙硼熒光材料,其中,Ar為芳環(huán)取代基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙硼熒光材料的制備方法,其特征在于,將所述二頻哪醇硼芳烴加入到乙酸銨的乙酸溶液中混合,反應(yīng)制得二(二甲氧基)硼芳烴的步驟具體包括:
在惰性氣氛下,將二頻哪醇硼芳烴加入到乙酸銨的乙酸溶液中,攪拌5-10h,加入碳酸氫鈉中和,乙酸乙酯萃取,硫酸鎂干燥,減壓濃縮溶劑,然后甲醇溶解,回流過夜,旋干溶劑,得到二(二甲氧基)硼芳烴。
6.一種雙硼熒光材料的制備方法,其特征在于,包括步驟:
在惰性氣氛下,將二溴芳烴、二苯胺、Pd(PPh3)4、叔丁醇鉀和P(t-Bu)3HBF4加入到甲苯中,加熱回流制得二(二苯胺)芳烴;
將所述二(二苯胺)芳烴加入到乙酸乙酯溶液中,滴加液溴混合后,反應(yīng)制得二(二溴二苯胺)芳烴;
將所述二(二溴二苯胺)芳烴與苯硼酸甲酯以及正丁基鋰混合,反應(yīng)制得分子結(jié)構(gòu)式為的雙硼熒光材料,其中,Ar為芳環(huán)取代基。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙硼熒光材料的制備方法,其特征在于,所述將所述二(二溴二苯胺)芳烴與苯硼酸甲酯以及正丁基鋰混合,制得雙硼熒光材料的步驟具體包括:
在惰性氣氛下,將二(二溴二苯胺)芳烴溶于乙醚,冷卻到-78℃,加入正丁基鋰,攪拌半個小時,然后加入苯硼酸甲酯,恢復(fù)到室溫,過夜,加入氯化銨水溶液,乙酸乙酯萃取,硫酸鎂干燥,減壓濃縮溶劑,柱層析分離得到最終雙硼熒光材料。
8.一種OLED器件,其特征在于,包括有機發(fā)光層,所述有機發(fā)光層的材料為權(quán)利要求1-3任一所述的雙硼熒光材料。
9.一種OLED器件,其特征在于,包括電子傳輸層,所述電子傳輸層的材料為權(quán)利要求1-3任一所述的雙硼熒光材料。
10.一種QLED器件,其特征在于,包括電子注入層,所述電子注入層的材料為權(quán)利要求1-3任一所述的雙硼熒光材料。
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