[發(fā)明專利]X射線感測(cè)裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810439176.5
• 申請(qǐng)日: 2018-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN110376632A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許志行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶相光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G01T1/20
• 分類號(hào): G01T1/20
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種X射線感測(cè)裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一材料層，設(shè)置于該基板上；

一電路元件，設(shè)置于該第一材料層的底部；

一光電感測(cè)元件，設(shè)置于該電路元件上；

一柱狀結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)設(shè)置于該光電感測(cè)元件上，且與該光電感測(cè)元件接觸，其中該柱狀結(jié)構(gòu)包括一閃爍材料；以及

一接墊，設(shè)置于該第一材料層的頂表面或底表面上，并與該電路元件耦接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該閃爍材料與該光電感測(cè)元件接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該柱狀結(jié)構(gòu)還包括一介電層及一導(dǎo)電層，其中該介電層設(shè)置于該導(dǎo)電層及該第一材料層之間，該導(dǎo)電層設(shè)置于該閃爍材料及該介電層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該閃爍材料包括CsI:Tl、CsI:Na、CsI、BGO(B₄G₃O₁₂)、LYSO、YSO、Cd₂O₂S:Tb或前述的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該柱狀結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)寬比的范圍為1:1至2:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該電路元件包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器、影像信號(hào)處理器或前述的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，還包括一第二材料層，設(shè)置于該第一材料層上，且該第二材料層包括二氧化鉭(TaO₂)、銅(Cu)、鋁(Al)或前述的組合。

8.一種X射線感測(cè)裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一材料層，設(shè)置于該基板上；

一電路元件，設(shè)置于該第一材料層的底部；

一柱狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該電路元件上，且與該電路元件接觸，其中該柱狀結(jié)構(gòu)包括一閃爍材料；以及

一接墊，設(shè)置于該第一材料層的頂表面或底表面上，并與該電路元件耦接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該閃爍材料包括鈣鈦礦(perovskite)、PbI₃、PbI₂、MgI₃、HgI₂、非晶硒(Se)、CdTe、SiO₂或前述的組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該第一材料層包括硅或玻璃。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的X射線感測(cè)裝置，其特征在于，該柱狀結(jié)構(gòu)為一導(dǎo)孔。

12.一種X射線感測(cè)裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一承載基板；

形成一第一材料層于該基板上，其中一電路元件設(shè)置于該第一材料層的底部，且一光電感測(cè)元件，設(shè)置于該電路元件上；

圖案化該第一材料層，以形成暴露出該光電感測(cè)元件的部分表面的一開口；以及

填充一閃爍材料于該開口中，以形成一柱狀結(jié)構(gòu)，其中該柱狀結(jié)構(gòu)與該光電感測(cè)元件接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的X射線感測(cè)裝置的制造方法，其特征在于，于填充該閃爍材料于該開口中的步驟前，還包括：

形成一介電層于該開口中；以及

形成一導(dǎo)電層于該介電層上。