[發明專利]一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置

有效

• 申請號: 201810437905.3
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN108599753B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 劉良勇
• 申請（專利權）人: 上海頤煊智能科技有限公司
• 主分類號: H03K17/722
• 分類號: H03K17/722
• 代理公司: 北京智行陽光知識產權代理事務所(普通合伙) 11738
• 代理人: 王龍海

1.一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置，包括電源、電壓檢測電路、光接收器、信號穩定電路、觸發電路、反饋電路、觸發端子、投退電路、狀態綜合電路、擊穿檢測電路、過溫檢測電路以及光發射器，其特征在于：

除擊穿檢測電路和過溫檢測電路外的構造均設置有兩組；

擊穿檢測電路同除過溫檢測電路外的前述結構組成A組回路，A組回路為交流電正半波觸發及檢測回路；

過溫檢測電路同除擊穿檢測電路外的前述結構組成B組回路，B組回路為交流電負半波觸發及檢測回路；

前述結構用于表示除擊穿檢測電路和過溫檢測電路外的構造；

A組回路和B組回路通過擊穿檢測電路連接；

A組回路中，光接收器通過兩條線路分別同信號穩定電路、投退電路連接，其中，信號穩定電路連接觸發電路，觸發電路同反饋電路、觸發端子的基極(G)、陰極(K)連接，觸發端子的陰極(K)連接擊穿檢測電路，擊穿檢測電路連接狀態綜合電路，狀態綜合電路又同電壓檢測電路、反饋電路以及光發射器連接；投退電路通過兩條線路分別同電源、狀態綜合電路連接，電源同各結構形成供能連接；

B組回路中，光接收器通過兩條線路分別同信號穩定電路、投退電路連接，其中，信號穩定電路連接觸發電路，觸發電路同反饋電路、觸發端子的基極(G)、陰極(K)連接，反饋電路連接狀態綜合電路，狀態綜合電路還同過溫檢測電路、電壓檢測電路以及光發射器連接，觸發端子的陰極(K)連接A組的擊穿檢測電路；投退電路同電源連接，電源同各結構形成供能連接。

2.根據權利要求1所述的一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置，其特征在于：所述的電源采用雙磁環的母線取電結構，雙磁環結構中的每個磁環各繞有相同匝數的線圈，兩個磁環上的線圈分別連接兩個整流電路的輸入端，一個整流電路中設置有“+”和“-”兩個輸出端，“+”和“-”輸出端間連接一個電容，形成充電回路，將兩個充電回路疊加后，同由電阻和開關器件構成的可控補償負載進行并聯，可控補償負載用于在非觸發時穩定功率電源VPP，功率電源VPP接入由可控穩壓芯片構成的穩壓電路，輸出信號電源VCC，補償負載和觸發負載自動互補投切完成，非觸發狀態時，即投退信號接入高電平信號時，補償負載投入，觸發負載退出，否則，補償負載退出，觸發負載投入。

3.根據權利要求2所述的一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置，其特征在于：所述的信號電源VCC的電壓為+5V，其輸出誤差范圍為±1％，功率電源VPP的電壓為+20V，其輸出誤差范圍為±15％。

4.根據權利要求1所述的一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置，其特征在于：所述的光接收器的信號輸出端設置有取反電路Ⅰ，取反電路Ⅰ的輸出端和信號穩定電路中的上電復位電路的輸出端連接，其連接后再連接觸發電路上高速開關器件I的控制端—G極，高速開關器件I的D極接地，高速開關器件I的S極連接限流電阻后再連接至觸發端子的陰極(K)，同時S極連接到反饋電路，功率電源VPP連接至單向二極管后再連接到觸發端子基極(G)，外部可控硅連接至觸發端子，G極控制高速開關器件I的D極和S極的導通產生觸發電流，從而控制可控硅的通斷，觸發電路通過S極輸出觸發反饋信號。

5.根據權利要求1所述的一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置，其特征在于：所述的投退電路中設置取反電路Ⅱ，取反電路Ⅱ連接光接收器，取反電路Ⅱ的輸出端接入高速開關器件Ⅱ的控制端—B極，高速開關器件Ⅱ的E極連接電容和電阻，電阻和電容并聯后接地，高速開關器件Ⅱ的C極連接信號電源VCC，B極控制E極和C極的通斷，高速開關器件Ⅱ的E極可作為可控硅擊穿檢測投退信號，同時將投退信號連接至取反電路Ⅲ，可輸出補償負載投退信號。

6.根據權利要求1所述的一種高壓隔離的雙回路可控硅強觸發裝置，其特征在于：所述的擊穿檢測電路中設置有電壓互感器，電壓互感器的主邊通過電阻連接至A、B組觸發端子的陰極(K)，電壓互感器的副邊連接采樣電阻，采樣電阻的一端接地，另一端通過電阻連接至比較電路“+”端，同時，比較電路的“+”端通過上拉電阻連接至信號電源VCC，比較電路“-”端連接基準電壓發生電路的“REF”端，比較電路的“OUT”端連接狀態綜合電路。