[發明專利]動態隨機存取存儲器及其操作方法

在審

• 申請號: 201810437842.1
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN109961817A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 李忠勛;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/4096
• 分類號: G11C11/4096;G11C29/42;G11C7/04
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;李琛

1.一種動態隨機存取存儲器(DRAM)，包括：

一存儲器陣列；

一控制電路，經配置以接收一輸入數據和一溫度信號；

一第一錯誤更正碼(ECC1)電路，經配置由該輸入數據產生一第一編碼數據；以及

一第二錯誤更正碼(ECC2)電路，經配置由該輸入數據產生一第二編碼數據。

2.如權利要求1所述的DRAM，其中該ECC1電路經配置當該溫度信號指出一環境溫度低于一臨界溫度時，產生該第一編碼數據。

3.如權利要求1所述的DRAM，其中該ECC2電路經配置當該溫度信號指出一環境溫度不低于一臨界溫度時，產生該第二編碼數據。

4.如權利要求1所述的DRAM，其中該控制電路經配置以判斷該ECC1電路及該ECC2電路其中之一者將被啟用。

5.如權利要求1所述的DRAM，還包括一溫度感測器，經配置以產生一表示一環境溫度的一溫度信號。

6.如權利要求1所述的DRAM，其中該控制電路經配置以接收一寫入指令。

7.如權利要求6所述的DRAM，其中該ECC1電路和該ECC2電路其中之一者經配置在接收到該寫入指令和該第一編碼數據及該第二編碼其中之一者后，對該存儲器陣列執行一寫入操作。

8.一種動態隨機存取存儲器(DRAM)，包括：

一存儲器陣列；

一控制電路，經配置以接收一輸入數據和一溫度信號；

一第一錯誤更正碼(ECC1)電路，經配置由該輸入數據產生一第一編碼數據；以及

一第二錯誤更正碼(ECC2)電路，經配置由該輸入數據產生一第二編碼數據，其中當該溫度信號指出一環境溫度低于一臨界溫度時，啟用該ECC1電路，以及當該溫度信號指出該環境溫度不低于該臨界溫度時，啟用該ECC2電路。

9.如權利要求8所述的DRAM，其中該控制電路包括一溫度判斷電路，經配置以解析該溫度信號來表示該環境溫度。

10.如權利要求8所述的DRAM，其中該控制電路還包括一分配器，經配置以判斷該ECC1電路和該ECC2電路其中之一者將被啟用。

11.如權利要求8所述的DRAM，還包括一溫度感測器，經配置以產生一表示該環境溫度的一溫度信號。

12.如權利要求8所述的DRAM，其中該控制電路經配置以接收一寫入指令。

13.如權利要求12所述的DRAM，其中該ECC1電路和該ECC2電路其中之一者經配置在接收到該寫入指令和該第一編碼數據及該第二編碼其中之一者后，對該存儲器陣列執行一寫入操作。

14.如權利要求8所述的DRAM，其中該存儲器陣列包括至少一弱存儲列和至少一強存儲列。

15.如權利要求14所述的DRAM，其中該第一編碼數據存儲在該弱存儲列中。

16.如權利要求14所述的DRAM，其中該第二編碼數據存儲在該強存儲列中。

17.一種動態隨機存取存儲器的操作方法，包括：

接收一輸入數據；

接收一溫度信號；

解析該溫度信號來表示一環境溫度；

判斷該環境溫度是否低于一臨界溫度；以及

根據判斷結果啟用至少兩個錯誤更正碼電路其中之一者。