[發明專利]升壓型DC-DC超低壓冷啟動電路

在審

• 申請號: 201810436427.4
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN108400704A
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 楊淼;李蘇;王鎮
• 申請（專利權）人: 無錫鴻恩泰科技有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 陳曉蕾

1.升壓型DC-DC超低壓冷啟動電路，其特征在于：包括：冷啟動電路(1)、片外電感L1、冷啟動功率管Q1、BOOST功率管Q2、共用整流管Q3、PFM驅動電路(2)、片外電容C1和輸出電壓檢測電路(3)，所述片外電感L1的一端與能量采集源VIN端相連，片外電感L1的另一端與冷啟動功率管Q1的漏極、BOOST功率管Q2的漏極、共用整流管Q3的漏極相連，共用整流管Q3的源極與片外電容C1相連并作為輸出VOUT，輸出電壓檢測電路(3)以VOUT為電源并檢測VOUT電壓，輸出電壓檢測電路(3)輸出端與控制信號CTR端相連，冷啟動電路(1)以VIN為電源、冷啟動電路(1)的輸入端與控制信號CTR端相連，冷啟動電路(1)的輸出端通過控制信號HCLK端與冷啟動功率管Q1的柵極相連，PFM驅動電路(2)以VOUT為電源，PFM驅動電路(2)的輸入端與控制信號CTR端相連，PFM驅動電路(2)的輸出端SN與BOOST功率管Q2的柵極相連，PFM驅動電路(2)的輸出端SP與共用整流管Q3的柵極相連。

2.根據權利要求1所述的升壓型DC-DC超低壓冷啟動電路，其特征在于：所述冷啟動電路(1)包括過壓檢測及啟動模塊(11)、超低壓振蕩器模塊(12)和電荷泵模塊(13)，所述過壓檢測及啟動模塊(11)通過超低壓振蕩器模塊(12)與電荷泵模塊(13)電連接。

3.根據權利要求2所述的升壓型DC-DC超低壓冷啟動電路，其特征在于：所述過壓檢測及啟動模塊(11)包括：電阻R1、電容C2和電容C3，所述電阻R1的一端分別與PMOS管M1的源極、電容C3的一端、PMOS管M5的源極和柵極、PMOS管M8的源極、PMOS管M25的漏極、PMOS管M9的源極、PMOS管M11的源極、PMOS管M11的襯底、PMOS管M12的襯底、NMOS管M15的漏極、PMOS管M16的源極、PMOS管M16的襯底、PMOS管M17的襯底、NMOS管M20的漏極相連，PMOS管M25的源極與VIN電源端相連，PMOS管M25的柵極與控制信號CTR端相連，PMOS管M1的漏極與PMOS管M21的源極相連，PMOS管M21的漏極分別與PMOS管M21的柵極、PMOS管M1的柵極、PMOS管M2的源極相連，PMOS管M2的漏極分別與NMOS管M3的漏極、電容C2的一端、NMOS管M6的柵極、NMOS管M24的柵極相連，PMOS管M2的柵極與NMOS管M3的柵極相連，NMOS管M3的源極接地，電容C2的另一端接地，NMOS管M6的源極與NMOS管M24的漏極相連，NMOS管M6的襯底與NMOS管M24的源極相連后接地，NMOS管M4的柵極與控制信號CTR相連，NMOS管M4的源極接地，NMOS管M6的漏極分別與NMOS管M4的漏極、電阻R1的另一端、NMOS管M7的柵極、NMOS管M26的柵極相連，NMOS管M7的源極與NMOS管M26的漏極相連，NMOS管M7的襯底與NMOS管M26的源極相連后接地，NMOS管M7的漏極分別與PMOS管M11的柵極、PMOS管M12的柵極、NMOS管M13的柵極、NMOS管M14的柵極、電容C3的另一端、PMOS管M23的源極、PMOS管M8的源極、PMOS管M10的漏極相連，PMOS管M11的漏極與PMOS管M12的源極相連，NMOS管M13的源極分別與NMOS管M14的漏極、NMOS管M15的源極相連，NMOS管M13的襯底與NMOS管M14的襯底、NMOS管M14的源極、NMOS管M15的襯底相連后接地，PMOS管M23的柵極分別與PMOS管M22的柵極、PMOS管M5的柵極相連，PMOS管M23的源極與PMOS管M22的漏極相連，PMOS管M22的源極與PMOS管M5的漏極相連，PMOS管M10的源極分別與PMOS管M9的漏極和柵極相連，PMOS管M10的柵極分別與PMOS管M12的漏極、NMOS管M13的漏極、NMOS管M15的柵極、PMOS管M16的柵極、PMOS管M17的柵極、NMOS管M18的柵極、NMOS管M19的柵極相連，PMOS管M16的漏極與PMOS管M17的源極相連，PMOS管M17的漏極分別與NMOS管M18的漏極、NMOS管M20的柵極、控制信號EN端相連，NMOS管M18的襯底與NMOS管M19的襯底、NMOS管M19的源極相連后接地，NMOS管M18的源極分別與NMOS管M19的漏極、NMOS管M20的源極相連。