[發明專利]一種室溫快速減薄與制絨晶硅的方法

有效

• 申請號: 201810434714.1
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN110444630B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 沈鴻烈;唐群濤
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
• 代理公司: 南昌朗科知識產權代理事務所(普通合伙) 36134
• 代理人: 郭毅力

1.一種室溫快速減薄與制絨晶硅的方法，包括如下步驟：

(1)先用含有硫酸的酸性過氧化氫對晶硅片進行酸性氧化清洗，再用含胺的弱堿性過氧化氫進行堿性氧化清洗，接著用稀的氫氟酸溶液進行清洗，最后用含鹽酸的酸性過氧化氫進行酸性氧化清洗，在每次清洗中間都要用超純水進行漂洗，最后再用低沸點有機溶劑進行干燥；

(2)將清洗好的晶硅片置于減薄腐蝕溶液中進行快速化學腐蝕以將晶硅片厚度腐蝕至50μm以下，獲得超薄晶硅材料，溶液溫度為室溫；

(3)將腐蝕完的超薄晶硅浸入制絨腐蝕溶液中進行快速化學腐蝕制絨，獲得表面有陷光絨面的超薄晶硅，溶液溫度為室溫；

其特征在于：

所述的減薄腐蝕溶液和制絨腐蝕溶液中均含有Cu(NO₃)₂，HF和H₂O₂；

通過ρ值的調節在室溫下實現硅片的快速減薄或快速制作減反射絨面，ρ＝[HF]/([HF]+[H₂O₂])：

ρ值大于90％時，晶硅片的減薄速率達到0.5mm/s，硅片表面在300-1100nm波段范圍內的平均反射率低于25％；ρ值在40％至80％之間變化時，晶硅片在室溫下制絨300s后300-1100nm波段范圍內的反射率低于7％。

2.根據權利要求1所述的一種室溫快速減薄與制絨晶硅的方法，其特征在于：通過ρ值的調節改變減反射絨面的形貌為減反射復合倒金字塔結構、小倒金字塔結構與大倒金字塔結構。

3.根據權利要求1所述的一種室溫快速減薄與制絨晶硅的方法，其特征在于：Cu(NO₃)₂的濃度范圍為0.1mM-600mM，HF的濃度范圍為0.1-10M，H₂O₂的濃度范圍為0.1-10M。

4.根據權利要求1所述的一種室溫快速減薄與制絨晶硅的方法，其特征在于：所述的晶硅片電阻率1-5Ω·cm，厚度200±20μm，為單晶硅或多晶硅。