[發(fā)明專利]一種防腐蝕熱電偶有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810434420.9 | 申請日： | 2018-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN108981941B | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 呂崇新 | 申請（專利權(quán)）人： | 唐山市開平區(qū)天諾熱電偶廠 |
| 主分類號： | G01K7/02 | 分類號： | G01K7/02;G01K1/10 |
| 代理公司： | 廣州海藻專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 張大保 |
| 地址： | 063021 河北省唐山市開平區(qū)越河鎮(zhèn)高新技*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 腐蝕 熱電偶 | ||
1.一種防腐蝕鎢錸熱電偶，所述防腐蝕鎢錸熱電偶是由如下方法制備的：提供鎢錸熱電偶合金基體；在鎢錸熱電偶合金基體表面利用第一磁控濺射方法沉積金屬Al層；在金屬Al層表面利用第二磁控濺射方法沉積氧化鋁層；在氧化鋁層表面利用第三磁控濺射方法沉積金屬Zr層；在金屬Zr層表面利用第四磁控濺射方法沉積硼化鋯層；在硼化鋯層利用第五磁控濺射方法沉積TiAlSiN層，金屬Al層的厚度為15nm，第一磁控濺射方法具體為：采用直流磁控濺射，濺射溫度為250℃，濺射電流為0.8A，濺射功率為110W，氬氣流量為80sccm，氧化鋁層的厚度為40nm，第二磁控濺射方法具體為：采用射頻濺射方法，濺射靶材為氧化鋁靶材，濺射溫度為450℃，濺射功率為330W，氬氣流量為80sccm，金屬Zr層的厚度為15nm，第三磁控濺射方法具體為：采用直流磁控濺射，濺射溫度為330℃，濺射電流為1.3A，濺射功率為180W，氬氣流量為80sccm，硼化鋯層的厚度為70nm，第四磁控濺射方法具體為：采用射頻濺射方法，濺射靶材為硼化鋯靶材，濺射溫度為450℃，濺射功率為550W，氬氣流量為80sccm，TiAlSiN層厚度為110nm，第五磁控濺射方法采用單靶共濺射方法，單靶共濺射方法具體為：提供Ti靶、Al靶以及Si靶；將Ti靶和Al靶與直流電源相連，Si靶與射頻電源相連；其中，Ti靶濺射電流為0.8A，濺射功率為230W，Al靶濺射電流為0.8A，濺射功率為230W，Si靶濺射功率為180W；其中，單靶共濺射過程中濺射溫度為350℃，氮?dú)饬髁繛?10sccm，氬氣流量為40sccm。
2.一種防腐蝕鎢錸熱電偶的制備方法，其特征在于：所述防腐蝕鎢錸熱電偶的制備方法包括如下步驟：提供鎢錸熱電偶合金基體；在鎢錸熱電偶合金基體表面利用第一磁控濺射方法沉積金屬Al層；在金屬Al層表面利用第二磁控濺射方法沉積氧化鋁層；在氧化鋁層表面利用第三磁控濺射方法沉積金屬Zr層；在金屬Zr層表面利用第四磁控濺射方法沉積硼化鋯層；在硼化鋯層利用第五磁控濺射方法沉積TiAlSiN層，金屬Al層的厚度為15nm，第一磁控濺射方法具體為：采用直流磁控濺射，濺射溫度為250℃，濺射電流為0.8A，濺射功率為110W，氬氣流量為80sccm，氧化鋁層的厚度為40nm，第二磁控濺射方法具體為：采用射頻濺射方法，濺射靶材為氧化鋁靶材，濺射溫度為450℃，濺射功率為330W，氬氣流量為80sccm，金屬Zr層的厚度為15nm，第三磁控濺射方法具體為：采用直流磁控濺射，濺射溫度為330℃，濺射電流為1.3A，濺射功率為180W，氬氣流量為80sccm，硼化鋯層的厚度為70nm，第四磁控濺射方法具體為：采用射頻濺射方法，濺射靶材為硼化鋯靶材，濺射溫度為450℃，濺射功率為550W，氬氣流量為80sccm，TiAlSiN層厚度為110nm，第五磁控濺射方法采用單靶共濺射方法，單靶共濺射方法具體為：提供Ti靶、Al靶以及Si靶；將Ti靶和Al靶與直流電源相連，Si靶與射頻電源相連；其中，Ti靶濺射電流為0.8A，濺射功率為230W，Al靶濺射電流為0.8A，濺射功率為230W，Si靶濺射功率為180W；其中，單靶共濺射過程中濺射溫度為350℃，氮?dú)饬髁繛?10sccm，氬氣流量為40sccm。
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