[發明專利]具有焊盤結構的圖像傳感器

有效

• 申請號: 201810434110.7
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN109841640B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 鄭允瑋;周俊豪;李國政;黃熏瑩;黃胤杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體圖像傳感器件的方法，所述方法包括：

在半導體層中形成多個光電探測器，其中，所述多個光電探測器配置為檢測穿過所述半導體層的第一表面進入到所述半導體層中的光；

蝕刻所述半導體層以在所述半導體層的第二表面中形成第一開口，其中，所述第二表面與所述第一表面相對；

在所述第一開口中形成包括金屬填充物的焊盤結構；

在所述半導體層的所述第二表面上設置互連結構；

沉積隔離材料以在所述半導體層中形成多個深溝槽隔離結構，其中，所述焊盤結構和所述光電探測器由相同的所述隔離材料覆蓋，并且對所述相同的所述隔離材料實施平坦化工藝之后，在所述隔離材料上形成金屬柵格結構；以及

蝕刻所述半導體層和所述隔離材料以在所述半導體層中形成第二開口以暴露所述焊盤結構的至少部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一開口的深度在所述半導體層的厚度的80％和95％之間。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述焊盤結構包括在形成所述金屬填充物之前形成覆蓋層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述焊盤結構包括在形成所述金屬填充物之前形成襯墊層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述互連結構包括與所述金屬填充物對準并且與所述金屬填充物物理接觸的導線。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在多個光電探測器的相鄰光電探測器之間形成所述多個深溝槽隔離結構中的至少一個深溝槽隔離結構。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，蝕刻所述半導體層以形成所述第二開口包括圖案化并蝕刻所述隔離材料。

8.根據權利要求4所述的方法，所述襯墊層的厚度在10nm和300nm之間。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在設置所述互連結構之前形成所述第一開口。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述互連結構包括將載體晶圓接合至所述半導體層。

11.一種形成半導體圖像傳感器件的方法，所述方法包括：

在半導體層中形成多個光電探測器；

蝕刻所述半導體層以在所述半導體層的第一表面中形成與所述多個光電探測器中的至少一個光電探測器相鄰的第一開口；

在所述第一開口中形成包括襯墊層和金屬填充物的焊盤結構；

在所述半導體層的與所述第一表面相對的第二表面上沉積隔離材料以在所述半導體層中形成多個隔離結構，其中，所述焊盤結構和所述光電探測器由相同的所述隔離材料覆蓋；

對所述相同的所述隔離材料實施平坦化工藝之后，在所述多個隔離結構上形成金屬柵格結構；以及

蝕刻所述半導體層和所述隔離材料以在所述半導體層中形成第二開口以暴露所述焊盤結構的至少部分。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述半導體層還包括與所述表面相對的另一表面，其中，所述多個光電探測器配置為檢測穿過所述半導體層的所述另一表面進入到所述半導體層中的光。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述多個隔離結構包括：

在所述半導體層上沉積隔離材料；以及

平坦化所述隔離材料。

14.據權利要求13所述的方法，其中，蝕刻所述半導體層以形成所述第二開口還包括圖案化并蝕刻所述隔離材料。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述焊盤結構還包括在形成所述金屬填充物之前在所述第一開口中沉積覆蓋材料。