[發明專利]一種運算放大器、運放電路及驅動芯片有效
| 申請號： | 201810433960.5 | 申請日： | 2018-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN108631738B | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發明（設計）人： | 周述;李天望;謝磊;劉程斌 | 申請（專利權）人： | 湖南國科微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/45 | 分類號： | H03F3/45;H03F1/38;H03F1/56;G05B19/042 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長明;許偉群 |
| 地址： | 410100 湖南省*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 運算放大器 電路 驅動 芯片 | ||
1.一種運算放大器，其特征在于，包括：
差分輸入端，所述差分輸入端包括第一輸入端和第二輸入端；
輸入級，所述第一輸入端和所述第二輸入端均與所述輸入級的輸入端電連接；
輸出級，所述輸出級與所述輸入級的輸出端電連接，所述輸出級設置有一功能電路，當輸入正階躍信號或負階躍信號時，所述功能電路控制輸出級的輸出電流方向，減小運算放大器的輸出電壓，所述功能電路包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和第二晶體管電連接，所述功能電路對輸出級電壓進行控制。
2.根據權利要求1所述的運算放大器，其特征在于，所述第一晶體管為第一NMOS管，所述第二晶體管為第一PMOS管，所述輸出級還包括第二NMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的源極接地，第二NMOS管的柵極與所述第一PMOS管的漏極電連接，第二NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極電連接；
所述第一PMOS管的柵極和所述第一NMOS管的柵極電連接，所述第一PMOS管的源極和所述第一NMOS管的源極電連接，所述第一NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的柵極電連接，所述第二PMOS管的源極連接電源信號。
3.根據權利要求2所述的運算放大器，其特征在于，所述第一PMOS管的源極和所述第一NMOS管的源極與輸出級的輸出端電連接，所述第一PMOS管的柵極和所述第一NMOS管的柵極與所述差分輸入端電連接。
4.根據權利要求3所述的運算放大器，其特征在于，所述輸出端連接一電容，所述電容的第一端連接所述輸出端，所述電容的第二端接地。
5.根據權利要求4所述的運算放大器，其特征在于，所述功能電路還用于檢測在階躍響應時，運算放大器是否發生過沖。
6.根據權利要求5所述的運算放大器，其特征在于，
當輸入信號為正階躍信號且輸入電壓與輸出電壓的差值大于所述第一NMOS管的閾值電壓時，所述第一NMOS管工作；
或者，
當輸入信號為負階躍信號且輸出電壓與輸入電壓的差值大于所述第一PMOS管的閾值電壓時，所述第一PMOS管工作。
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